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一种基于衬底驱动技术的超低压模拟混频器
引用本文:薛皓宝,孙飞.一种基于衬底驱动技术的超低压模拟混频器[J].电子科技,2008,21(8).
作者姓名:薛皓宝  孙飞
作者单位:西安电子科技大学,微电子学院,陕西,西安,710071
摘    要:讨论分析了混频器和衬底驱动MOSFET的工作原理.在此技术基础上设计一个低压模拟混频器.基于TSMC 0.25 μm CMOS工艺BSIM3V3模型,采用Hspice对整个电路进行仿真.仿真结果表明,该混频器在1.2V的单电源电压下,可以实现对2.4GHz正弦信号的混频,转换增益为-12.8dB,三阶输入截止点的值为23dB.

关 键 词:超低压  衬底驱动  混频器

An Ultra-Low Voltage CMOS Mixer Based on the Bulk-driven Technique
Xue Haobao,Sun Fei.An Ultra-Low Voltage CMOS Mixer Based on the Bulk-driven Technique[J].Electronic Science and Technology,2008,21(8).
Authors:Xue Haobao  Sun Fei
Abstract:
Keywords:CMOS
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