| 一种低电压低温漂的基准电流源 |
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| 引用本文： | 周云,吕坚,吴志明,蒋亚东.一种低电压低温漂的基准电流源[J].现代电子技术,2009,32(8). |
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| 作者姓名： | 周云 吕坚 吴志明 蒋亚东 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 设计一种低电压低温漂的基准电流源.首先通过带隙基准电路得到一个基准电压VREF,对输出管进行温度补偿.电压VREF接到一个NMOS输出管的栅极上,调节VREF使得这个输出管工作在零温漂区.这时输出管的阈值电压和迁移率随温度的变化率相互补偿,从而产生一个与温度无关的基准电流IREF.电路采用CSMC 0.5 μm DPTM CMOS工艺制造.通过流片验证,该电路输出管的零温漂点为(IZTC=215.4μA,VZTC=1.244 4 V),在-45～+125℃的范围内温度系数为8.1 ppm/℃,在2 V的电源电压下整个电路的功耗仅为0.45 mw.
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| 关 键 词： | 基准电流源 带隙基准源 低温漂 低电压 |
Current Reference with Low Temperature Drift and Low Power Supply |
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| ZHOU Yun,LV Jian,WU Zhiming,JIANG Yadong.Current Reference with Low Temperature Drift and Low Power Supply[J].Modern Electronic Technique,2009,32(8). |
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| Authors: | ZHOU Yun LV Jian WU Zhiming JIANG Yadong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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