| 部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET |
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| 引用本文： | 李俊峰,杨荣,赵玉印,柴淑敏,刘明,徐秋霞,钱鹤.部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET[J].半导体学报,2004,25(9):1061-1065. |
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| 作者姓名： | 李俊峰 杨荣 赵玉印 柴淑敏 刘明 徐秋霞 钱鹤 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所 北京100029
(李俊峰，杨荣，赵玉印，柴淑敏，刘明，徐秋霞)，中国科学院微电子研究所 北京100029(钱鹤) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究与发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA1Z15 80)~~ |
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| 摘 要： | 结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI n MOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件.制作了0 .2 5 μm SOI射频n MOSFET器件,结构和工艺参数同仿真结果一致,测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能
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| 关 键 词： | 结构 工艺 仿真 实验 射频 SOI |
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