基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究

以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜.所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50 μm,空穴的最高霍尔迁移率为30.8 cm~2/V·s,电子的最高霍尔迁移率为45.6 cm~2/V·s.用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70～80 cm~2 /V·s,亚阈值斜摆幅为1.5 V/decade,开关电流比为1.01×10~7,开启电压为-8.3 V.另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性.     

利用VPCM设计深亚微米RFCMOS的LCVCO

本文介绍了采用SMIC RF CMOS技术的设计方法以及VPCM的确性，并设计了一款高性能LCVCO来验证VPCM。     

表面贴装集成电路引脚整形研究

微电子技术的迅猛发展,促进了电子器件和电子产品小型化的发展。目前,表面贴装集成电路(SMIC)已成为主流封装形式,此类封装集成电路具有集成度高、管脚多、间距小等特点,在生产上满足了向小型化发展的需求,但是也带来了很多问题,其中引脚共面性问题为常见的问题之一。结合SMIC在使用过程中因引脚共面性引起的焊接问题,对SMIC的引脚整形试验展开研究。