InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计北大核心

应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。     

紫外/氯胺消毒对供水系统中微生物数量分布的影响

针对上海临江水厂紫外/氯胺组合消毒供水系统，研究了紫外关闭前后，紫外/氯胺组合消毒和单氯胺消毒对供水系统中微生物数量分布的影响。结果表明：紫外/氯胺组合消毒对出厂水微生物的消毒效率比氯胺消毒更高。目前工艺条件下，组合消毒可做到对可培养细菌的100%灭活，单氯胺消毒只能达到97.71%～99.98%。单氯胺消毒下，管网异养菌平板计数均值相对紫外/氯胺组合消毒增加128.78%，二次供水异养菌平板计数均值相对增加8.94%，紫外/氯胺组合消毒相对单氯胺消毒可改善管网微生物生长水平，但不能改变管网微生物生长变化规律。二次供水的微生物水平仍明显高于供水管网。二次供水模式中，直供水模式的水质相对最好，水池+水箱供水模式的水质相对最差。相同供水模式下，组合消毒比单氯胺消毒对二次供水微生物的控制效果更好。     

柔光自然面陶瓷岩板生产工艺控制技术

陶瓷岩板装饰效果简洁大气、留缝少、避免藏污纳垢、施工铺贴效率高,自进入市场后,深受消费者的喜欢.而柔光自然面陶瓷岩板,光泽度接近天然石材,光感漫反射,舒适柔和不刺眼,有效护眼,手感也更加细腻、柔润.本文从产品配方及各个关键工序控制出发,制备一种柔光自然面陶瓷岩板,并对其生产缺陷进行分析.     

地铁钢弹簧浮置板轨道减振性能仿真及试验分析

为了研究地铁钢弹簧浮置板轨道的动力特性与减振效果,采用落轴冲击理论进行数值仿真和试验分析.运用ANSYS/LSDYNA软件进行冲击过程的有限元模拟,在实测结果和数值结果对比验证的基础上研究轨道结构的振动特性,并提取钢轨、轨道板、基础的动态响应进行时频域特性分析.结果表明:轮轨冲击产生的振动由钢轨、扣件、道床板传递到基础的过程中,振动响应自上而下逐级递减且衰减明显;落轴高度不影响轨道动力特性分布规律,只影响振动响应的幅值;在2～200 Hz频率范围内,钢弹簧浮置板轨道的平均插入损失为10.3 dB,说明钢弹簧浮置板系统隔振效果显著,浮置板道床具有良好的隔振性能.     

全国建筑材料工业陶瓷专业情报信息网简介

全国建筑材料工业陶瓷专业情报信息网成立于1974年,是我国建筑陶瓷行业唯一的情报信息交流组织,是以科技信息服务为主的综合型信息服务机构。由原国家建材局委托咸阳陶瓷研究设计院组建并负责组织活动。情报信息网的组建,为我国建筑材料工业发展、情报信息交流、技术交流作出了有益的贡献。专业情报信息网的宗旨是:紧密结合建筑材料工业各专业发展的需求,采取形式多样、行之有效的服务方式,积极开展情报信息专题调研和交流活动,为促进建筑材料工业的迅速发展提供服务。     

行李箱外板浮动整形模设计

介绍了某轿车行李箱外板的翻边侧整形模设计过程,行李箱外板的侧法兰翻边上存在凹包,其翻边方向和凹包成形方向不同,常规需要2道工序分别完成翻边和凹包成形。该模具突破了传统的设计结构,在翻边机构中设置了凹包成形机构,将2个不同方向的成形复合到1道工序中,减少了模具数量,降低了冲压成本和工装成本。     

侧围外板成形工艺分析及改进

针对某侧围外板进行模具结构优化，通过对门槛、C柱及尾灯口区域的缺陷进行分析，在设计与调试环节提出相应的改进措施，解决了成形侧围外板的缺陷问题，提高了成形质量，最终提升了企业的市场竞争力。     

氮磷共掺杂生物质多孔碳材料的制备及其氧还原性能研究

将槟榔原料与一定量的磷酸氢二铵均匀混合，在氮气气氛下制备氮磷共掺杂生物质炭，再与KOH二次煅烧生成孔隙结构发达的杂原子掺杂多孔碳。电化学测试结果表明，杂原子掺杂碳催化剂材料的ORR(氧还原)活性良好，具有优异的稳定性和抗中毒特性。组装的锌-空气电池的测试结果显示，无金属催化剂可与商业20%Pt/C催化剂性能相媲美，表明以生物质为基础的氮磷共掺杂活性炭是一种很有商业价值的氧还原催化剂材料。     

CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证

水冷陶瓷增殖剂（WCCB）包层作为中国聚变工程试验堆（CFETR）候选包层之一，承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能，其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现。为验证中子学设计工具，即MCNP和FNEDL3.0数据库，在WCCB包层中子学设计中的可靠性，基于研制出的WCCB包层模块，在DT中子环境下开展中子学实验，对以产氚率（TPR）为代表的中子学参数进行了模拟值（C）和实验值（E）对比分析。结果表明，模块中轴线位置处TPR的C/E为0.97?1.08，而模块边缘位置处TPR的C/E为0.65?0.82；模块钛酸锂层边缘区197Au（n，γ）198Au反应率的C/E为0.72?0.90，表明模块边缘区存在非期望的散射中子，导致该区TPR模拟值和实验值偏离较大。