| InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计北大核心 |
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| 引用本文： | 刘涛,刘燚,王冯涛.InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计北大核心[J].固体电子学研究与进展,2022(3):184-190+219. |
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| 作者姓名： | 刘涛 刘燚 王冯涛 |
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| 作者单位： | 曲靖师范学院物理与电子工程学院 |
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| 基金项目： | 国家级大学生创新创业训练重点项目（20200108Z）； |
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| 摘 要： | 应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。
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| 关 键 词： | 双异质结双极晶体管(DHBT) InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP 渐变材料 梯度掺杂 |
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