一种用于相移干涉仪的高压放大电路

基于自主研制高精度数字化相移干涉仪的需求,针对干涉仪的压电陶瓷移相器设计了一种高压放大电路。通过双极性运算放大器OP07构成低噪声,非斩波稳零的低压放大电路与中功率线性三极管MJE340和MJE350构成高压放大电路进行直流耦合,结合反馈网络,功率放大电路,滤波电路以及限流保护电路,将计算机输出的0~5 V低电压的移相控制信号稳定线性放大到-30 V~+130 V范围,且输出低至10 mV 峰值的纹波,满足压电陶瓷移相器的高压驱动控制要求和相移干涉仪的高精度移相测量的要求。     

一种0.2 mm210位50 MS/s流水线型模数转换器

设计了一款适用于无线通讯系统的3.3 V,10位50 MS/s流水线型模数转换器。减小面积和功耗是设计的核心。通过运放共享技术,减小了芯片功耗和面积;使用耗尽型MOS管改进的CMOS开关替代栅压自举开关,节省了开关面积;采用薄栅器件作为主运放的输入管,提高了运放带宽,减小了运放的面积和功耗;采用耗尽型MOS管设计辅助运放,减小了辅助运放的功耗。基于华虹NEC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,ADC核心版图面积仅为0.2 mm²,功耗为45 mW;在50 MHz采样频率,11 MHz输入信号下,SFDR达78 dB,SNDR达60.7 dB, 有效位数为9.8位。     

CMOS与双极型运算放大器:哪种工艺更适合应用?

如今,有许多运算放大器（运放）可供系统设计人员选择。3家最大的运放制造商总共推出超过1,600种可供选择的产品,这还不包括专用放大器!那么如何在浩如烟海的器件中进行筛选呢？一种将选择范围缩小的方法是从选择最佳制造工艺开始。大多数制造商清楚地将运放标记为CMOS、双极型或是BiCMOS,但这在实际应用中又代表什么含义呢？     

一种输出端电压达到负电源电压的DAC缓冲运放

基于2 μm SOI CMOS工艺,设计了一种输出电压达负电源的运放,用作12位四通道D/A转换器的单位增益缓冲。分别在VDD=+5 V,VSS=0 V,VREFH=2.5 V,VREFL=0 V以及VDD=+15 V,VSS=-15 V,VREFH=10 V,VREFL=-10 V这两种条件下测试D/A转换器性能,该转换器的INL分别为-0.31 LSB和0.27 LSB。测试结果表明,该运放的性能满足D/A 转换器的要求。     

用一个运放接双色LED显示电压的波动

正当输入电压U1高于R2上的电压(即运放反向端输入电压)iVRR RU2121+=时,输出高电位,可是这样一来,相当于R3与R1并联起来了,这时R2上的电压升高为iiURRRRRR RRRURRR RRRU3231213122313122)(+++=++=于是,只有2UUi≥时,才能使运放输出高电位。U2就是使运放输出     

富士通半导体最新推出内置模拟比较器和运放的8位微控制器

富士通半导体（上海）有限公司近日宣布推出6款MB95430H系列产品，使其F2MC-8FX家族产品阵容进一步扩大。新产品增加了内置比较器和运算放大器。MB95430H系列是F2MC-8FX家族通用产品之一，是内置闪存的高性能8位微控制器（以下简称“微控制器”）。样片已开始接受申请，并预计10月开始量产出货。     

提高电子式电度表潜动指标的方法

探讨了电子式电度表的测量器件（仪表中产生与电能成比例的输出量的部件）输出是直流电压时，提高潜动指标的方法。     

你是否超越了运放的输入共模区间?

了解这个关键的运放参数,以及它如何成为神秘乱象和不一致性能的原因。为自己的电路挑选运放要通过一个选择过程,其中要考虑到最关键的应用参数。审查的参数可能包括:电源电压、增益带宽积、转换速率     

应用于CMOS图像传感器的低功耗电容缩减循环ADC

提出了一种应用于CMOS图像传感器的低功耗电容缩减型循环ADC。该ADC在最高有效位(MSB)量化结束后,采样及反馈电容值减为之前的一半,使ADC中开关电容电路的功耗相应减少。同时该ADC在采样阶段应用运放消失调技术,对运放失调电压的敏感度降低。在0.18μm CMOS工艺下应用该结构设计了一个11 bit、833 kS/s的循环ADC。Spectre仿真表明,该ADC的信噪失真比(SNDR)为64.49 dB,无杂散动态范围(SFDR)为68.38 dB,在1.8 V电源电压下的功耗为270μW。与传统结构相比,该ADC的功耗降低了32%。