首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1820篇
  免费   71篇
  国内免费   116篇
工业技术   2007篇
  2024年   13篇
  2023年   38篇
  2022年   30篇
  2021年   58篇
  2020年   51篇
  2019年   56篇
  2018年   26篇
  2017年   46篇
  2016年   39篇
  2015年   52篇
  2014年   108篇
  2013年   108篇
  2012年   115篇
  2011年   102篇
  2010年   99篇
  2009年   120篇
  2008年   133篇
  2007年   116篇
  2006年   84篇
  2005年   87篇
  2004年   68篇
  2003年   73篇
  2002年   59篇
  2001年   47篇
  2000年   44篇
  1999年   31篇
  1998年   21篇
  1997年   29篇
  1996年   28篇
  1995年   20篇
  1994年   21篇
  1993年   10篇
  1992年   15篇
  1991年   15篇
  1990年   20篇
  1989年   17篇
  1988年   3篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
  1984年   1篇
  1983年   2篇
排序方式: 共有2007条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
不同给液方式对铜电解过程中有重要的影响,不同的循环方式会影响槽内温度分布、电解液成分及阳极泥沉降等,因此,根据铜电解生产不同情况的需要,分析对比了多种给液方式在贵冶电解车间的应用,总结了这几种给液方式的优缺点和适用条件。  相似文献   
3.
Ni-Al2O3纳米复合电镀工艺的初步研究   总被引:21,自引:4,他引:17  
初步研究了复合电镀各工艺条件:电流密度、镀液pH值和温度以及搅拌方式对Al2O3纳米微粒在镍基复合镀层中含量的影响。研究表明:电流密度增大不利于提高镀层中纳米微粒的含量;pH值增大也明显使复合量降低;镀液温度升高,镀层中微粒的复合量随之略有改变;电镀时,加强搅拌或适当改变搅拌方式,可以使复合镀居中的纳米微粒含量提高。还利用扫描电镜及能谱对Ni-Al2O3镀层表面进行了观察与分析。  相似文献   
4.
周红华 《有色冶炼》2004,33(5):21-22,34
分析了锌电积过程中阳极发生的主要反应,探讨了温度、锰离子浓度、电流密度、酸度等因素对阳极析出MnO2电流效率的影响。  相似文献   
5.
纽约州立大学Buffalo分校电子封装实验室正在为美国海军开发新型的功率电子封装,在一些极端苛刻的工作条件下(比如在军舰和战机上).它们能够解决大电流密度、高温和大的温度梯度所引起的种种问题。这类功率电子封装还有可能很快进入民用产品。  相似文献   
6.
通过对最优噪声匹配网络的分析,提出了光接收机的设计方法。它基于噪声系数概念和宽带匹配理论,同时引入了等效输入热噪声电流的概念。由于在分析过程中直接利用有源器件的噪声参数(最小噪声系数、噪声阻抗和最佳源阻抗),这种设计方法是很精确的。通过分析,确定了调谐网络噪声匹配的一般条件,其目标是使光接收机获得最小等效输入噪声电流。  相似文献   
7.
8.
一前言在电沉积过程中,电流密度的大小是影响镀层质量的主要因素之一,而目前在实际生产中主要的还是在经验的基础上来进行估算,精度差。此外,有时尽管有一个具有最佳性能的配方,由于电沉积生产周而复始的进行,各种因素的影响,镀液中各种成分都将发生变化,同时还有电网电压波动,温度的变化,都将使得电沉积过程中的电流密度发生改变。如何及时发现这种改变,并采取措施进行调整,使其复原,这是实现电镀过程控制和调节的主要  相似文献   
9.
关于导线经济电流密度的讨论   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文讨论导线经济电流密度问题,并对新旧经济电流密度作了比较。  相似文献   
10.
电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响   总被引:5,自引:4,他引:1  
发现并研究了电极半径r与瓷体半径R之比r/R对ZnO压敏电阻片耐受2ms方波电流冲击能力的作用规律.利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络,实验模拟了r/R对电极边缘电流密度分布的作用规律,研究结果表明增大r/R能使电流密度均匀化,因而能增强ZnO压敏电阻片的通流能力。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号