全文获取类型
收费全文 | 359篇 |
免费 | 50篇 |
国内免费 | 120篇 |
学科分类
工业技术 | 529篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 10篇 |
2021年 | 18篇 |
2020年 | 8篇 |
2019年 | 10篇 |
2018年 | 9篇 |
2017年 | 11篇 |
2016年 | 12篇 |
2015年 | 15篇 |
2014年 | 26篇 |
2013年 | 11篇 |
2012年 | 16篇 |
2011年 | 33篇 |
2010年 | 36篇 |
2009年 | 21篇 |
2008年 | 33篇 |
2007年 | 41篇 |
2006年 | 32篇 |
2005年 | 30篇 |
2004年 | 20篇 |
2003年 | 32篇 |
2002年 | 20篇 |
2001年 | 22篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 11篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
排序方式: 共有529条查询结果,搜索用时 259 毫秒
1.
电流叠加型CMOS基准电压源 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。 相似文献
2.
3.
随着光电器件的广泛应用,微机械光开关成为核心光交换器件的主流。在研发过程中,其器件检测手段成为人们所关注的话题。本文介绍了一种新颖的测量平台,通过高幅值利用单片机控制脉冲频率的方法来选择器件。与当前同类方法相比,具有精度高、可靠性强、成本低、易操作等特点,具有广阔的使用前景。 相似文献
4.
5.
6.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
7.
8.
9.
10.