一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

CN200610167505．2一种金刚石压机的终端压力精确控制装置及控制方法

本发明的一种金刚石压机的压力精确控制装置及控制方法，能够与常规的人造金刚石压机连接并实现终端压力的精确控制，为金刚石压机提供稳定的、精确的压力。本发明的金刚石压机的终端压力精确控制装置的一种结构形式是由介质隔离缸、隔离活塞、增压器、液压系统连接口组成；本发明的另一种结构形式是由介质隔离缸、隔离活塞、动力输出活塞、液压系统连接口组成。     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

800 V SOI介质隔离技术研究

高低压隔离是SOI(Silicon-on-Insulator)高压功率集成电路的关键问题之一。文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究。通过理论分析和数值仿真,探讨其耐压机理,并对结构参数进行了优化;设计了包含低淀氮化硅、化学机械抛光(CMP)等关键步骤的新的SOI介质隔离工艺流程。实验结果表明,在膜厚为20μm的SOI上,可以实现击穿电压800 V以上的介质隔离结构。     

介质隔离高稳定低噪声对管电路的工艺研究

文章采用先进的全介质隔离、高频低噪声、浅结工艺研制高稳定性低噪声对管电路。该器件具有两管电流放大系数对称性好（hFE=97%)、噪声系数低（NF≤3dB）、隔离度高（g≥40dB）、共模抑制比高（CMRR≥80dB)和截止频率高（fT≥600MHz）等优点。     

适合于制作绝缘体上硅片粘合技术及其应用

本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统Ｖ形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统Ｖ形槽介质隔离方法的不足，给出了新的介质隔离方法的工艺路线，介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。     

介质隔离技术的新进展

本文介绍一种成品率高，而实现全介质隔离的ＳＯＩ技术。该技术利用助粘层对硅片进行粘合，实现以单晶硅取代ＳｉＯ２一多晶硅介质隔离片中的多晶硅支撑体，避免了长时间高温淀积多晶硅过程，从而克服了随硅片直径增加而加剧的硅片翘曲形变，简化了操作，缩短了工艺流程，便于批量加工，适用于大直径硅片，其成品率亦比ＳｉＯ２－多晶硅介质隔离高出５０％，并在双极型模拟电路抗辐照加固的实际试用中取得了成品率高、电参数一致性好     

DMP343无介质隔离的微压/低压传感器

京瓷研发出尺寸为2．0×1．6×0．75（max）mm的超小、超薄KT2016系列，并批量生产。KT2016系列晶体振荡器不仅具备在GPS运用中所需的高精度，同时在面积和体积上比以往的KT2520系列削减了约40％。