稀磁半导体CdS:CO~(2+)光学吸收谱的理论计算

通过对过渡族自由离子ＣＯ２＋光谱的实验值进行半经验的拟合，得到了它的３ｄ电子波函数，并利用晶体场理论，计算了 ＣｄＳ： ＣＯ２＋的光学吸收谱， 计算结果与实验值吻合很好。     

基于Windows+RTX平台的半导体实时测量软件系统的开发

随着半导体技术的发展,对半导体生产工艺的测量和评估的需求也在不断地提高。为此针对某半导体测量设备的实时测量需求,在Windows+RTX的平台下,设计并开发了具有强实时性的测量软件系统。系统的底层测量软件利用RTX提供的API和精确的时钟开发完成,其运行在RTX拓展系统中控制数据采集卡实时采集数据。上层用户界面使用MFC编制完成,并采用信号量机制与底层软件进行通信,通过共享内存传递测量数据。该软件系统开发完成后,部署在某测量设备上并进行实验,其实验数据表明该系统能很好地完成实时数据测量的任务。     

微波对n型硅半导体材料中PN结扩散的加速作用

用微波加热方法进行了硼—铝杂质在n型硅半导体材料中扩散PN结的试验。并与现行工业扩散的结果作了对比。从而发现,微波加热方法可以把扩散速度加快三倍以上。     

正电子湮没技术在稀磁半导体中的应用

稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷属性和自旋属性,这使其成为了一个研究的热点。但是,针对它们的室温铁磁性的起源仍然存在较大的争议。文章通过介绍正电子湮没技术及其在表征材料缺陷中的独特应用,讨论了正电子湮没技术在研究氧化物稀磁性半导体室温铁磁性起源中的独特优势。     

纳米材料的制备、功能化及其器件的性质研究（英文）

一维纳米材料（碳纳米管、纳米线、氧化物纳米带）作为研制纳电子器件理想的材料具有重要的科学意义和应用前景。本工作主要集中在氧化物纳米带、碳纳米管的功能化及其和纳米器件性质研究。     

对靶磁控溅射Co/TiO_2薄膜制备和表征

为了研究稀磁半导体Co/TiO2薄膜的微观结构和磁性,进一步探讨制备工艺和测量方法对稀磁半导体薄膜材料的影响。通过高真空对靶直流磁控溅射装置和原位退火工艺制备了Co/TiO2薄膜样品,然后利用扫描探针显微镜、振动样品磁强计和X射线衍射仪对所制得的薄膜样品的磁性和微结构进行了研究,发现磁性金属Co的掺杂量对Co/TiO2薄膜的结构及磁性有重要影响。结果表明:样品的表面粗糙度和颗粒尺寸随磁性金属含量升高而增大;随着Co百分含量的升高,形成的薄膜样品Co/TiO2和Co金属混合结构会减小矫顽力;对于Co含量较低样品其磁滞回线的斜率在低温测量时得到的结果明显小于室温环境的结果,归因于受到了顺磁相的影响。由X射线衍射结果可知此时样品为锐钛矿结构。     

纳米材料的制备、功能化及其器件的性质研究（英文）

一维纳米材料（碳纳米管、纳米线、氧化物纳米带）作为研制纳电子器件理想的材料具有重要的科学意义和应用前景。本工作主要集中在氧化物纳米带、碳纳米管的功能化及其和纳米器件性质研究。     

Developing molecular-level models for organic field-effect transistors

Organic field-effect transistors (OFETs) are not only functional devices but also represent an important tool for measuring the charge-transport properties of organic semiconductors (OSs). Thus, efforts to understand the performance and characteristics of OFET devices are not only useful in helping achieve higher device efficiencies but also critical to ensuring accuracy in the evaluations of OS charge mobilities. These studies rely on OFET device models, which connect the measured current characteristics to the properties of the OSs. Developing such OFET models requires good knowledge of the charge-transport processes in OSs. In device active layers, the OS thin films are either amorphous (e.g. in organic light-emitting diodes and organic solar cells) or crystalline (e.g. those optimized for charge transport in OFETs). When the electronic couplings between adjacent OS molecules or polymer chain segments are weak, the charge-transport mechanism is dominated by hopping processes, which is the context in which we frame the discussion in this Review. Factors such as disorder, mobility anisotropy, traps, grain boundaries or film morphology all impact charge transport. To take these features fully into account in an OFET device model requires considering a nano-scale, molecular-level resolution. Here, we discuss the recent development of such molecular-resolution OFET models based on a kinetic Monte Carlo approach relevant to the hopping regime. We also briefly describe the applicability of these models to high-mobility OFETs, where we underline the need to extend them to incorporate aspects related to charge delocalization.