Ni诱导SiGe薄膜晶化烧结制备与热电势氢传感器件

在玻璃衬底上采用RF溅射法制备非晶SiGe薄膜的基础上，采用金属Ni诱导法对所制备的薄膜进行晶化烧结，并以Pt催化氢氧化放热反应和SiGe薄膜的热电势效应为原理制备出了小型热电势氢传感器。测试表明：以500℃烧结所得SiGe薄膜材料为敏感基体，在100℃工作温度下所制备的传感器对3％H2灵敏度为0．7mV，检测的浓度范围大约为0．02％-5％，且输出电压随着烧结温度的升高而升高。