| Ni诱导SiGe薄膜晶化烧结制备与热电势氢传感器件 |
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| 引用本文： | 全宇军,邱法斌,申宇爽,村山宣光.Ni诱导SiGe薄膜晶化烧结制备与热电势氢传感器件[J].仪表技术与传感器,2004(11):7-8,11. |
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| 作者姓名： | 全宇军 邱法斌 申宇爽 村山宣光 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130023
2. 日本产业技术综合研究所,日本,463-8560 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60004003) |
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| 摘 要： | 在玻璃衬底上采用RF溅射法制备非晶SiGe薄膜的基础上，采用金属Ni诱导法对所制备的薄膜进行晶化烧结，并以Pt催化氢氧化放热反应和SiGe薄膜的热电势效应为原理制备出了小型热电势氢传感器。测试表明：以500℃烧结所得SiGe薄膜材料为敏感基体，在100℃工作温度下所制备的传感器对3％H2灵敏度为0．7mV，检测的浓度范围大约为0．02％-5％，且输出电压随着烧结温度的升高而升高。
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| 关 键 词： | 氢传感器 Ni诱导 Pt催化 热电效应 |
| 文章编号： | 1002-1841(2004)11-0007-02 |
Preparation of Ni-induced Crystallized SiGe Film and Study on Thermoelectric Hydrogen Sensor |
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| QUAN Yu-jun,QIU Fa-bin,SHIN Woosuck,NORIMITSU Murayama.Preparation of Ni-induced Crystallized SiGe Film and Study on Thermoelectric Hydrogen Sensor[J].Instrument Technique and Sensor,2004(11):7-8,11. |
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| Authors: | QUAN Yu-jun QIU Fa-bin SHIN Woosuck NORIMITSU Murayama |
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| Affiliation: | QUAN Yu-jun~1,QIU Fa-bin~1,SHIN Woosuck~2,NORIMITSU Murayama~2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Hydrogen Sensor Ni-induced Pt-catalyzed Thermoelectric Effect |
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