MIM隧道发光结的负阻现象

本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理，阐述了其Ｉ－Ｖ特性中的负阻现象。简单介绍了ＭＩＭ结构负阻的几种解释，根据热像仪照片和低温测试结果分析，再结合Ｄｅａｒｍａｌｅｙ导电模型，我们提出了ＭＩＭ负阻的物理模型，理论与实验符合较好，最后分析了负阻现象的应用前景。     

新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．     

如何鉴别家庭照明铜线质量

以前家庭照明普遍使用铝芯线,铝芯线容易被氧化,电线接头氧化后接触不良会产生打火现象,埋下火灾隐患。因使用铝芯线造成的火灾事故发生率是铜芯线的数倍,现在新装修房屋普通使用铜芯线。由于铜芯线要埋在墙里面,所以铜芯线的质量尤为重要。如何鉴别铜芯线质量呢?首先看铜芯,优质铜芯线使用的是高纯度铜,铜芯发亮,导电性能好,而劣质铜芯线使用     

TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备

用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2×102cm-1,相对介电常数为7～8.4,电荷面密度为2.5×1012～3.1×1012cm-2.这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD)的栅绝缘层.     

半绝缘InP（Fe）的低温氯化物VPE生长

介绍了一种半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）的低温氯化物气相外延（ＶＰＥ）生长方法，生长温度为５５０℃，可为金属有机气相淀积的量子阱结构二次外延半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）盖层。４０μｍ层厚时电阻率超过５×１０８Ωｃｍ，临界击穿电压达到１０Ｖ以上。用这种方法制备的激光器阈值电流达８０ｍＡ，较平板式的降低３倍，远场图样平行和垂直结平面方向光功率曲线对称性良好，远场发散角，器件测试得到较好光谱。目前尚未见到其它类似报道。     

探讨10 kV配网线路防雷技术措施

10kV配网线路经常遭到雷电破坏而产生不同严重程度的跳闸事件.一旦发生跳闸事件,就会对人们的人身安全和财产安全造成严重威胁.主要分析了当前我国10 kV配网线路防雷措施中存在的问题,并且通过试验和研究,提出了完善10 kV配电线路防雷技术措施的几点建议,希望能给电力系统中的相关工作人员提供一些参考.     

具有连接端子的碳纤维线

本实用新型涉及导电材料，特别是电子电气领域使用的用于发热的碳纤维线，包括碳纤维丝以及包裹在其外的绝缘层，还包括金属丝、设置在金属丝外的绝缘层，碳纤维丝和金属丝相对端以铜管相连接，在铜管外以绝缘外保护层包裹，该绝缘外保护层的两端分别与绝缘层密封连接。由于碳纤维丝处在连续封闭的金属管中，避免了金属丝端面磨断碳纤维丝的可能性，提高了产品的耐久性和安全性，同时，由于铜管压紧在碳纤维上丝，碳纤维丝与铜管之问就有尽可能大的接触面积，从而有效地降低了碳纤维与铜管之间以及与金属电线的接触电阻，从而提高了产品的实用化程度。     

基于聚合物电介质的并五苯场效应晶体管

采用顶接触结构分别在SiO2、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)绝缘层上制备了以并五苯为有源层的两种有机场效应晶体管(OFET),其中SiO2绝缘层采用热生长法制备,PMMA绝缘层采用溶液旋涂法制备。与常规基于无机绝缘层的器件相比,采用聚合物为绝缘层后,不但器件的制作工艺简化和成本降低,而且器件性能大幅提高,经测试,器件的迁移率提到0.153cm2/Vs,而阈值电压降低6V。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等对器件性能提高的原因进行了详细分析。     

栅控二极管ESD工艺优化方法研究

为解决通过更改器件设计来提升电路抗静电放电（ESD）能力时成本高的问题,从栅控二极管的工艺出发,研究CAN总线电路抗ESD能力提升方法。通过TCAD仿真,评估了沟道掺杂对于栅控二极管抗ESD能力的影响,发现调整ESD离子注入工艺可以优化栅控二极管导通电阻,提高ESD保护窗口内的泄流能力,将电路抗ESD能力从2 000 V提高到3 000 V,为电路级芯片的失效问题提供了一种解决方案。     

电缆绝缘缺陷修复技术

分析了轨道车辆电线电缆绝缘层缺陷的可修复材料,并对于不同缺陷的分级,给出了相应的缺陷修复技术,进行了相应的修复技术的可靠性验证。