| 半绝缘InP（Fe）的低温氯化物VPE生长 |
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| 引用本文： | 孙洪波,李玉东,陈松岩,胡礼中,刘式墉.半绝缘InP（Fe）的低温氯化物VPE生长[J].高技术通讯,1995,5(11):41-44. |
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| 作者姓名： | 孙洪波 李玉东 陈松岩 胡礼中 刘式墉 |
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| 作者单位： | 集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区 |
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| 摘 要： | 介绍了一种半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）的低温氯化物气相外延（ＶＰＥ）生长方法，生长温度为５５０℃，可为金属有机气相淀积的量子阱结构二次外延半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）盖层。４０μｍ层厚时电阻率超过５×１０８Ωｃｍ，临界击穿电压达到１０Ｖ以上。用这种方法制备的激光器阈值电流达８０ｍＡ，较平板式的降低３倍，远场图样平行和垂直结平面方向光功率曲线对称性良好，远场发散角，器件测试得到较好光谱。目前尚未见到其它类似报道。
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| 关 键 词： | 半绝缘层 氯化物 低温 磷化铟 量子阱结构 |
The Low Temperature Chloride VPE Growth of SI:InP(Fe) |
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| Sun Hongbo, Li Yudong,Chen Songyan, Hu Lizhong,Liu Shiyong.The Low Temperature Chloride VPE Growth of SI:InP(Fe)[J].High Technology Letters,1995,5(11):41-44. |
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| Authors: | Sun Hongbo Li Yudong Chen Songyan Hu Lizhong Liu Shiyong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VPE Critical breakdown voltage Semi-insulation layer |
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