AES加密算法的改进及FPGA实现

为提高数据传输的保密性和加密解密的高效性,利用数字信封技术,对传统的AES加密算法进行了改进.将AES加密算法和非对称加密中的RSA加密算法相结合,利用RSA加密算法中陷门单向置换变换的特点,对敏感密钥信息key单独进行加密;最后,基于FPGA予以实现.实验验证结果表明,改进程序完成了数据加解密算法,可实现错误率为零,加解密速度达到1.62 Mb/s,比文献[2]研究结果提高了近25.56%,达到了预期效果.     

步进电机控制电路的一种CPLD实现方案

提出一种利用CPLD器件实现步进电机控制电路的设计方案．介绍了系统的原理与结构框图，详细论述了控制电路核心部分的设计原理和实现，并给出了仿真波形．该系统具有修改方便、使用灵活、可靠性高、可移植性强等优点．     

退火温度对溶胶-凝胶法制备（Na,Mg）：ZnO薄膜特性的影响

利用溶胶-凝胶法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Na,Mg):ZnO薄膜.重点研究了退火温度对薄膜结构性质的影响.扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱表明退火温度过高或过低都不利于薄膜良好表面形貌的形成及c轴择优取向生长.在一定范围内退火温度的升高,会使薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜表面形貌及c轴择优取向性得到改善,560℃为实验条件下的最佳退火温度.样品的荧光光致发光(PL)谱表明经560℃退火后的(Na,Mg):ZnO薄膜具有很少的缺陷及较高的结晶质量,是良好的紫外发光材料.     

基于P—N结的硅太阳能电池的数值分析

在P—N结硅太阳能电池数学模型的基础上,利用Matlab语言对硅太阳能电池的光电流密度进行了数值模拟,得到了P-N结硅太阳能电池的绝对光谱响应曲线,并采用参数分类变化和比较的方法,对硅片的器件参数和光电流密度之间的关系进行了数值分析,得出了太阳能电池光电流密度与硅片参数之间的相互关系,找出了可以提高光电流密度的方法,实验结论在具体的工艺实践中具有指导意义．     

移动授权的形式化建模与验证

基于通信的列车运行控制系统(Communications-Based Train Control System,CBTC)相较于传统的基于轨道的列车运行控制系统,无论是从功能方面还是性能方面都有了很大的改进。在系统的研发过程中,对其进行建模和验证,能够发现系统设计的缺陷,进而保证系统的安全性和功能性。移动授权(Movement Authority,MA)是CBTC系统的核心功能,用来保证列车的安全运行间隔。通过对移动授权生成原理的研究,采用时间自动机和其自动验证工具UPPAAL对其进行建模以及验证,验证结果表明,搭建的移动授权模型能够达到规定的安全要求和功能要求。因此UPPAAL能够对复杂的实时系统进行仿真验证。     

EDA的发展及组成

EDA技术是电子设计领域的一场革命，目前正处于高速发展阶段。利用EDA工具可以代替设计者完成电子系统设计中的大部分工作。对EDA的研究是信息时代电子技术发展的迫切需要。通过对EDA的发展、EDA系统工具的组成较为详细的描述，并将EDA技术与传统手工设计方法进行了对比，从而得出EDA方法相比传统手工方法，具有花费低、效率高和制造周期短等优点的结论。     

基于神经网络的引线键合质量预测模型研究

针对引线键合质量与其影响参数之间存在非线性、强耦合关系的特点,提出一种基于弹性BP算法的BP神经网络引线键合质量预测模型.通过引线键合工艺过程的分析,提取了影响引线键合质量的工艺参数,采用BP神经网络结构,建立了引线键合质量预测模型.不同算法下的网络训练结果表明,弹性BP算法具有较快的收敛速度和较高的训练精度.仿真结果表明所建模型具有较高的预测精度,能够准确地反映键合质量综合指标的变化趋势.     

复杂可编程逻辑器件在弹跳消除电路中的设计与应用

按键的弹跳现象，是数字系统设计中客观存在的问题，为了增加电路设计的灵活性，选用MAX plusⅡ软件，采用自顶向下的模块化设计方法，提出一种利用CPLD器件实现的弹跳消除电路，该电路具有故障率低、使用灵活、便于修改、在系统可编程性及可移植性强等优点。     

模糊神经网络的控制原理研究

针对模糊控制系统存在的缺陷,讨论了模糊神经网络的基本组成,重点分析了神经网络控制系统的控制原理,这对神经网络控制系统的应用研究具有十分重要的意义。     

一种带有分段曲线校正带隙基准源的设计探讨

设计了一种无外加启动电路的带隙基准电压源,采用交叉耦合增益级带隙基准源,将无需外加启动电路便可实现其功能,减小了整个电路的面积和功耗;在该带隙基准源后级联一级分段曲线校正电路,有效降低了输出电压的温度系数,得到不随温度变化的稳定输出电压.与传统带隙基准电路相比,得到较小的功耗和温度系数.最终实现一个电源电压为1.8 V,在-75℃～125℃温度范围内温度系数为8.8×10~(-6)℃~(-1)、功耗为100 nW的带隙基准电路.该电路可承受1.6 V到3.0 V的电源电压的变化.基于0.18μm CMOS工艺进行电路设计,利用Cadence工具进行电路仿真验证.