基于PSoC的数字电压表设计

采用Cypress公司生产的PSoC3芯片实现了一个数字电压表的设计。设计使用芯片集成的A/D转换模块完成模数转换,并且通过程序调用读取相应的数字量及芯片强大的LCD显示模块,将转换后的数字量和相应的模拟量显示出来。本设计具有硬件设计简单、软件设计图形化、可以充分利用PSoC提供的固件元件的优点。     

ICP刻蚀4H-SiC栅槽工艺研究

为避免金属掩膜易引起的微掩膜,本文采用SiO2介质作为掩膜,SF6/O2/Ar作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对4H-SiC trench MOSFET栅槽刻蚀工艺进行了研究。本文详细研究了ICP刻蚀的不同工艺参数对刻蚀速率、刻蚀选择比以及刻蚀形貌的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随着ICP功率和RF偏压功率的增大而增加;随着气体压强的增大刻蚀选择比降低;而随着氧气含量的提高,不仅刻蚀选择比增大,而且能够有效地消除微沟槽效应。刻蚀栅槽形貌和表面粗糙度分别通过扫描电子显微镜和原子力显微镜进行表征,获得了优化的栅槽结构,RMS表面粗糙度0.4nm。