HgCdTe自由载流子光电导过程中的热电子效应

用连续运行的可调谐CO_2激光器研究和观察N型Hg_0.78Cd_0.22Te在100K时的自由载流子吸收和光电导,发现光激发引起热电子温度和迁移率的增加。实验结果指出电离杂质散射是造成迁移率变化的主要原因,有可能发展成一种新型的远红外探测器。     

Hg_(1-x)Cd_xTe非线性光电导

利用连续运行的可调谐CO_2激光器,我们进行实验观察100K时N型Hg_(0.3)Cd_(0.2)Te带间跃迁的非线性光电导,着重研究了吸收系数、光激发非平衡载流子电子的浓度和复合寿命与光强的关系,分析指出,非线性光电导的产生可归结于动态Burstein-Moss效应和俄歇复合两过程.     

工程图纸的计算机管理

一种用扫描输入、矢量化处理和光盘存储的方法，实现工程图纸的计算机管理。本文介绍了该系统的基本结构、功能和特点。     

快速热退火提高应变InAs／InP量子阱结构的晶体质量

研究了快速热退火对应变ＩｎＡｓ／ＩｎＰ单晶子阱结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度地加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５ｍｅＶ。     

非线性Sturm-Liouville奇异边值问题正解的存在唯一性

本文用正则锥上的非紧减算子不动点定理,讨论了一类非线性Sturm-Liouville奇异边值问题正解的存在性和唯一性。对此问题的讨论,我们构造了一个新的正则锥。这样的方法完全可以应用到其它奇异边值上去,用以讨论正解的存在性。     

光电经纬仪伺服系统动态高型控制

光电经纬仪伺服系统一般是位置、速度双闭的随动系统,其跟踪精度和动态响应能力是衡量系统性能的重要标志.动态高型方法在原有控制系统基础上增加一个或多个积分环节构成高型系统,从而减小跟踪误差.将动态高型方法应用于光电经纬仪伺服系统中,从理论、仿真到工程实现进行了比较全面的研究,获得了一些具有独创性的结论.最后进行了动态Ⅲ型系统的跟踪能力Matlab仿真.当目标为最大加速度60(°)/s2、最大速度60(°)/s的等效正弦时,稳态跟踪误差达1.3″,对于最大加速度120(°)/s2、最大速度120(°)/s的等效正弦,仿真稳态跟踪误差达24″.     

由W0.95Ni0.05金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性

InGaAsP/InP双导 质结构外延片在直流负偏压120V作用下,利用射溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条,并在该应条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0.95 Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体的保护下,分别在250℃、350℃、450℃、450℃和600℃温度下各退火30min以后,W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了十分之一。光弹波导器件输出椭圆形近场光模长、短轴这比由原来的2.0增加到2.2(对2um条宽）和2.5增加到2.9(对4um条宽）。实验结果证明,这种波导结构具有很高的热稳定性。     

在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用

从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In P     

用双光路平衡法测量法拉弟旋转

本文描述了双光路平衡法测量法拉弟旋转的基本原理、实验装置及测量方法,同时报导了在室温和90K 温度下 n—GaAs 法拉弟旋转的测量结果。     

一种基于TPM芯片的计算机安全体系结构

针对现行通用个人计算机基于开放架构、存在诸多攻击点等安全问题，提出了一种基于TPM安全芯片的新型计算机体系结构。设计并实现了基于安全芯片的软件协议栈TSS，在安全芯片中使用软件协议栈，通过核心服务API来调用核心服务模块，解决远程通信的平台信任问题。设计并实现了基于多协议的授权和认证管理，实现上层应用和TPM之间的授权会话及授权认证，从而保证计算机能够完成安全计算和安全存储的工作，使计算平台达到更高的安全性。