排序方式: 共有16条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
研究了有机材料蒽和8-羟基喹啉铝(Alq3)在固态,溶解液态和镶嵌隔离态三种状态下的发光特性,发现随着有机分子密度的降低,即从高密度态向单体状态的变化过程中,其发光峰位出现蓝移,发光峰半高宽的宽度变窄,发光峰的对称性变好. 相似文献
2.
3.
热丝CVD生长SiCN薄膜的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程. 相似文献
4.
5.
6.
7.
氮化硅作为半导体器件的钝化膜,在半导体工业中有广泛的应用。我们通过SiCl_4、N_2、H_2混合气体的辉光放电(GD)和SiCl_4、NH_3混合气体的低压化学气相淀积(LPCVD)制备了一系列α-SiN_x:H薄膜,对其折射率、吸收边和光学带隙、红外吸收光谱和喇曼光谱进行了初步实验。用干涉显微镜和椭圆偏振仪分别测量了薄膜的厚度,其范围在5000~6000(?)左右。折 相似文献
8.
9.
本文用扫描电镜、红外吸收光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射技术对高频溅射沉积法制备的氮化碳膜的生长过程进行了研究.改变溅射条件,研究了氮化碳膜的形貌和结构与其性质之间的关系,通过溅射条件的优化,可使氮化碳膜中的氮含量增加,薄膜的结构接近β-C3N4相. 相似文献
10.