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运用ＨｅｒｂｓｔＦＷ公式原理对国产碱性条件进行了大量试验，建立了焊接线能量（Ｅ），焊条熔化长度（ｌＥ），焊道长度（ｌＲ）的关系式：Ｅ＝８０８Ｄ１．８ｌＥ／ｌＲ。并应用线算图和ＳＨ－ＣＣＴ图对该式施焊结果验证，热影响区的金相组织，硬度基本一致。因此，可以应用焊道长度校核与控制线能量。 相似文献
2.
利用理论模拟方法计算XeCl准分子激光器的激光输出特性,用正交设计方法选择激光器的泵浦电源参数,通过优化分析寻找到了几种可行的最佳泵浦电源参数组合. 相似文献
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N＊-Sc＊相变序铁电液晶器件具有半”V”字形电光特性,可实现连续灰度．并且自发极化值小、视角宽、响应时间为μs量级,适合TFTr-LCD,但控制层排列困难．针对此缺点,实验中通过分析直流电压对铁电液晶器件层排列的影响,测量了器件电光特性,提出了N＊-Sc＊相变序铁电液晶分子层排列模型． 相似文献
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提出了一种分水岭变换和结合空间信息的FCM聚类相结合的图像分割方法。方法采用基于图论的结合区域特征信息和空间信息的距离度量,以分水岭变换得到的图像分割小区域为节点构建一个连通加权图,通过计算图上不同节点之间的最短路径来度量不同区域之间的相似程度,从而实现过分割小区域的合并。该方法综合考虑了区域的特征之间的差异和空间位置的差异,与传统的FCM聚类方法在特征空间进行聚类相比,具有较强的噪声抑制能力。图像分割的实验结果证明了该算法的可行性和有效性。 相似文献
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计算分析铁电液晶C1和C2排列态的自由能．在取向膜预倾角较低的条件下，当取向膜表面方位锚定强度大于临界值2．1×10^-6J／m2时，C2排列态的自由能低于C1排列态，可实现均匀的C2排列态，并进行实验证明．采用摩擦取向方法，制作出了均匀取向的表面稳定模式器件． 相似文献
6.
利用傅立味变换对全息照相中对应的波函数进行了研究，分析了在不同条件下产生0级、＋1级、－1级衍射波的情况，解释了全息图再现时产生虚像和实像的机理以及像点位置坐标的变化情况。 相似文献
7.
采用球磨法制备了由四方晶系结构的金红石TiO2和面心立方结构的NiCo组成的(NiCo)/TiO2纳米复合材料,并在500℃氩气氛围中对样品进行0.5h退火处理。应用X射线衍射仪、扫描电镜、振动样品磁强计及微波矢量网络分析仪对纳米复合材料的相组成、形貌、磁性和电磁参数进行了分析。与球磨态样品相比,退火样品NiCo的布拉格衍射峰明显变窄,表明晶粒尺寸增加,微观应力减小;与此同时饱和磁化强度增加,矫顽力减小。制备态样品呈现明显的介电共振及磁共振行为,退火导致样品在12~16GHz内的界面极化和极化损耗显著加强,使样品在厚度为8mm时,最大损耗由-6.4dB降至-14.8dB。同时,退火样品在2.6和5.3GHz处的自然共振及10.5,13和15.6GHz处的交换共振明显增强。 相似文献
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采用高能球磨法及脉冲激光沉积法(PLD)分别制备了不同浓度的Ho3+∶Al2O3纳米粉体及薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、荧光光谱仪等分析手段研究了Ho3+离子掺杂对Al2O3结构及发光性能的影响。XRD图谱显示粉体样品为六方α-Al2O3结构,薄膜样品为体立方γ-Al2O3结构。1wt%Ho3+掺杂的Al2O3纳米粉体在454nm、540nm附近出现由Ho3+离子能级跃迁引起的吸收峰。采用579nm的激发光源对样品进行荧光光谱检测,发现两种样品在466～492nm波段均出现F+心所引起的缺陷发光峰,且发光峰的强度随Ho3+浓度的增加而增强。 相似文献
10.
La(Fe,Si)_(13)氢化物目前被认为是最具有应用前景的室温磁制冷材料之一,对于主动式磁蓄冷制冷机而言,理想的磁制冷工质为平行排列的片状块体。本工作在压强高达40 MPa的高压氢气气氛下烧结制备了不同颗粒尺寸的厚度为0.8 mm的片状LaFe_(11.44)Si_(1.56)氢化物块体,研究了颗粒尺寸及高压烧结时间对氢化物块体的结构及磁热效应的影响。结果表明,和母合金相比,烧结样品的α-Fe含量有明显增加,而烧结时间和颗粒尺寸对α-Fe析出没有显著影响。烧结样品的居里温度在室温以上,并且随着颗粒尺寸和烧结时间的增加而稍有增加。同时,与母合金相比,烧结块体中的磁滞显著降低,这可以归因于较小的颗粒尺寸和样品中存在大量的微观孔洞,降低了相变过程中的内应力。与颗粒尺寸为110～150μm的样品相比,颗粒尺寸小于40μm的片状块体在磁熵变几乎保持不变的基础上,磁滞显著降低35%。在0～1.5 T的外磁场下其磁熵变和体积磁熵变在345 K达到最大值8.5 J/(kg·K)和53 mJ/(cm~3·K)。 相似文献
