排序方式: 共有92条查询结果,搜索用时 13 毫秒
1.
2.
评定电器安全性能是否可靠过程中,最重要的一个参数是泄漏电流检测.一些现代电器产品和家用电器都需要较高的安全级别作为保障,因此,进行电器设备泄漏电流检测变得尤其重要.参考相关资料以及一些实践型的电器检验工作,本文将从电器设备泄漏电流检测的各个环节入手展开细致的研究,并总结经验. 相似文献
3.
4.
介绍了无氧铜车间进线电抗器的技术分析,决定在保证安全的基础上,通过更换遮断容量大的开关,达到限消电抗器,节约能源的目的。将原Sz7-1600变压器更换成S9-1000变压器降低损耗及基本电费。 相似文献
5.
6.
DCS的现场可利用率试验(SAT),是检验DCS制造商提供的设备是否满足用户要求的一个重要手段,也是设备验收的最后一个关口。文章对试验方法进行了探讨,并建议应尽快制定一个统一的试验标准。 相似文献
7.
节点分簇和簇首轮换机制是无线传感器网络中解决能量有效问题的经典方法,但仅适用于节点是固定或准固定的情况。在水下传感器网络中,经常会有节点因为各种原因移动或者失效。提出一种适用于水下传感器网络的分层体心部署模型,该模型把网络抽象成移动节点层和固定节点层,并采用覆盖性能最优的体心部署,同时提出一种基于LEACH协议且适合分层体心部署模型的静态分层-动态分簇路由算法。NS2的仿真结果表明这种方法能够延长网络的生命周期,并在一定程度上提高了网络的平均吞吐量。 相似文献
8.
PI/SiO2纳米杂化薄膜聚集态结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶法制备PI/SiO2纳米杂化薄膜.在制备过程中,有机相采用均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4'-二氨基二苯醚(ODA)体系,无机相通过前驱体正硅酸乙酯(TEOS)水解缩舍制得.采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)等手段表征了PI/SiO2纳米杂化薄膜的微观形貌,并讨论了热亚胺化工艺对PI/SiO2纳米杂化薄膜聚集态结构的影响.研究结果表明,适当提高60℃低温区域停留时间;使亚胺化终止温度达到350℃,并延长350℃的停留时间;减慢高温区升温速率是提高两相相互作用,减少SiO2粒径尺寸的有效方法. 相似文献
9.
10.
焉耆盆地地表条件复杂,有山地、沙山、戈璧、沼泽、湖区和农田等,地震资料年度跨度大,地震激发类型不一致(地表变化、岩性、井炮、震源等),地表高程变化大,静校正问题严重,原始资料的信噪比和分辩率都很低。针对这种复杂地表、不同年度、不同激发条件的资料进行的拼接处理,采取建立近地表模型、应用交互折射静校正技术、地表一致性处理技术、子波整形技术及叠前去噪技术等技术的综合分析应用,较好地解决了本地区资料的静校正问题及子波不一致的问题,使处理剖面的信噪比和分辨率都有较大的改善。 相似文献