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工业技术 | 132篇 |
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2021年 | 3篇 |
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1998年 | 5篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 3篇 |
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1.
目的制备超憎水SiO_2/FEVE复合涂层。方法使用物理混合方式将SiO_2填料加入到成膜物FEVE树脂中,制得超憎水涂料,并通过雾化喷涂在玻璃片上形成超憎水涂层。通过指触法测量了涂层的表干时间,利用接触角测量仪、扫描电镜以及原子力显微镜检测了超憎水SiO_2/FEVE复合涂层的憎水性能与微观形貌,并利用划格法评价了涂层的附着力。结果根据溶解度参数相近以及环保性原则选用了乙酸乙酯与乙酸丁酯的混合溶剂,最终得出超憎水SiO_2/FEVE复合涂料的配方为:100 g FEVE树脂、135 g乙酸乙酯、90 g乙酸丁酯、25 g D-SiO_2、10.5 g HDI。涂料配制完成后,采用大雾化量与大流量结合的喷涂工艺便可完成SiO_2/FEVE超憎水涂层的制备。涂层形成了含有内嵌孔洞的珊瑚状结构,表面呈现为规律交替分布的突起和凹陷区构成的粗糙结构,接触角可达152.8°,滚动角为8°。结论调整溶剂种类与固化剂加入量并未对涂层的结合力或成膜性有所改善,填料比例是影响涂层成膜性与憎水性能的关键工艺参数。涂层表面有序分布的微纳米级凹凸结构形成了超憎水表面所需有效的表面微观粗糙结构,这是涂层具有优良憎水性能的主要原因。 相似文献
2.
通过对灰铸铁进行合金化处理,研究了w(Cu)量对WP12气缸体金相组织和力学性能的影响。结果表明:(1)随着w(Cu)量的增加,灰铸铁的抗拉强度和硬度均有一定幅度的提高,当w(Cu)量达到0.60%~0.80%时,其抗拉强度为235MPa,硬度为195 HB;w(Cu)量达到0.8%以上,抗拉强度的提升已不明显。(2)不同w(Cu)量的灰铸铁,其石墨形态均为A型,珠光体体积分数可达98%以上;在w(Cu)量低于0.8%时,随着w(Cu)量的增加,Cu细化珠光体的作用明显增大,当w(Cu)量大于0.8%以后,Cu细化珠光体的作用不再增大。 相似文献
3.
针对医学影像中高维特征的问题,提出一种用于影像组学的多级特征选择方法(MSOM-GA)。用组内相关系数过滤对边界敏感的特征。用混合F-Score和信息增益的方法,去除不相关特征。用遗传算法去除冗余特征,选择最优特征子集。该算法在河南省人民医院脑胶质瘤影像数据上进行验证,实验显示,特征选择算法能显著提升特征的质量,算法的auc、acc、敏感度、特异性分别为0.9756、92.29%、93.70%、89.26%,与对照组相比具体数值有较为显著的提升。结果表明,该特征选择方法能有效地去除肿瘤边界不稳定特征、冗余特征和不相关特征,提高模型的训练精度。 相似文献
4.
5.
包含8种互不兼容协议(61158TS,ControlNet,Profibus,P-Net,FFHSE,SwiftNet,WorldFIP,Interbus)的IEC现场总线标准草案65C/223,224,225,226在最终FDIS阶段的投票结果日前在IEC的网站上公布。29个P成员中,25票赞成,4票反对,支持率为86%(67%即可);全部34个投票国中,4票反对,反对率小于25%;按照投票规则应予通过。法国、俄罗斯、加拿大、日本反对,意大利弃权,提出意见或评论的除上述五国外还有澳大利亚、挪威… 相似文献
6.
7.
8.
信息技术融入现场总线 总被引:1,自引:0,他引:1
1推动力1.1技术因素近些年来,半导体技术飞速发展,大规模集成电路取得长足进步。目前PentiumⅡCPU的光刻线宽已达0.25μm,预计到2002年将发展到0.1μm,而到2005年更达0.07μm,这就意味着微处理器和存储器的集成度将更高、功能将... 相似文献
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10.
高精度的制版设备电子分色机需要稳定的电压,因此电分机的供电系统需配备稳压电源。稳压电源的故障又直接影响着电分机的正常运行。最近我们厂SG—808电分机在开始扫描时发现扫描滚筒启动困难,转速不够,发出异常响声。按正常分析可能是传输皮带松动打滑引 相似文献