一种新型结构的静电感应晶体管

提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.     

用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料

采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.     

一种新型二元判定图器件和电路

提出了一种基于二元判定图(BDD)原理的新型逻辑器件和电路．BDD器件以电流模式的开关电流存储器为基本单元，具有符合二元判定图的两向通路的特点．用这种器件按照BDD树形图可以构成任意形式的组合逻辑电路．给出了或门、异或门及四位加法器电路的例子，并使用HSPICE仿真器进行了仿真，验证了这种器件及其电路的正确性．     

(Li,Mg)∶ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性表征

利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg)∶ZnO薄膜。重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg)∶ZnO薄膜的结构及光学性质。扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明随着膜厚的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜的晶化程度及c轴择优取向性增强。但薄膜厚度的增加是有一定范围的,当薄膜厚度过大时,薄膜均匀性、致密性及c轴择优取向性显著下降。样品的荧光光致发光(PL)谱表明,Mg的掺入使近紫外发光峰出现了蓝移,恰当膜厚的(Li,Mg)∶ZnO薄膜发光特性主要以深能级发射(DLE)为主,蓝绿发光峰强度很高。     

恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析

在恒磁场为0～2T的范围内,对Si、Ge基二极管的反向饱和电流和正向电流进行了测试.结果表明,在一定的电学条件下,随着磁感应强度B的增大,磁场对Ge基二极管的反向饱和电流的影响比Si基二极管的更明显.磁场对Si基二极管的正向特性几乎没有影响,但可以观测到Ge基二极管的正向电流随磁场的增强发生了变化.依据半导体理论基础,对实验结果进行了分析并通过建立理论模型对磁场中二极管的I-V特性进行了模拟.     

预硫化丁基-顺丁复合胶板在修复设备橡胶衬里中的应用

介绍了预硫化丁基-顺丁复合胶板在修复设备橡胶衬里中的应用.通过几年的应用表明,预硫化丁基-顺丁复合胶板衬里是一种行之有效的防腐蚀衬里.     

预硫化丁基一顺丁复合胶板在修复设备橡胶村里中的应用

介绍了预硫化丁基-顺丁复合胶板在修复设备橡胶衬里中的应用。通过几年的应用表明，预硫化工基-顺丁复合胶板衬里是一种行之有效的防腐蚀衬里。     

固态电解液阻变存储器导电细丝生长过程的模拟研究

本文对基于固态电解液的阻变存储器导电细丝的微观生长过程进行了蒙特卡洛模拟研究,模拟过程引入了多种物理和化学机制。模拟计算结果表明导电细丝形貌以及导电细丝不同的生长方向由金属离子在电解质材料中的迁移速率所决定。迁移速率较大的情况下,细丝由阴极向阳极生长;迁移速率较小的情况下细丝生长过程表现为从阳极向阴极生长。根据模拟出来的细丝形貌以及电流电压特性,我们对细丝的生长过程进行了详细讨论,模拟结果能很好地吻合实验结果。     

提高单室高压气淬真空炉冷却速度研究的进展

真空炉在需要较高的气冷速度时常用的方法有:1)提高冷却气体压力至2×10~6Pa或更高;2)选用传热系数高的冷却气体(如:氢气或氦气)。但在采用以上方法的同时应考虑淬火过程的经济性。目前,已研制成功一种新型单室真空炉,采用压力高达1×10~6Pa的氮气作为冷却气体,大大改善了冷却能力。