C和W注入H13钢纳米结构和抗腐蚀特性

用多次扫描电位法研究了C和W单独及双注入H13钢对抗腐蚀特性的影响、抗腐蚀相生成的条件及其对抗腐蚀特性的作用,对改性机理进行了讨论.实验结果表明,碳、钨单独和双注入H13钢钨和碳可在注入层超饱和分布,特征为类高斯分布.双注入可在注入层中形成弥散的碳化钨WC和W2C、中间相Fe2W、铁钨碳化物FeW3C、Fe6W6C和铁的碳化物Fe5C3,Fe3C,Fe2C等.其形状为丝状纳米相,丝状相沿样品法线生长.这种结构使注入层强化,增强了表面抗腐蚀特性;钨和碳双注入同时具有钨和碳单注入的优势,能更有效地提高H13钢的抗腐蚀性,随着W和C注入剂量的增加,抗腐蚀特性逐步增强;样品W5C5的Jp经55个周期腐蚀后,约为H13钢Jp的1/30.     

V＋C共注入对不锈钢表面机械性能改善的研究

采用改进的MEVVA源阴极对不锈钢进行了V +C共注入 ,并做了X射线衍射分析 ,硬度和磨损实验。V +C共注入剂量为 1× 10 17— 8× 10 17cm- 2 ,能量为 80keV。实验结果表明 ,V +C共注入后不锈钢表面的机械性能得到了改善 ,表面硬度增加了 16%— 82 % ,而耐磨性则是未注入样品的 1.4— 2 .2倍 ,最好的结果均从剂量为 4× 10 17cm- 2 的样品中得到。X射线分析表明 ,V +C共注入后在不锈钢表面形成了新相FeV ,Cr2 VC2 ,VC ,Cr2 3 C6 和Fe5C2 。这些新相在提高表面硬度和耐磨性方面起了重要作用。这些结果与V +C双注入同种不锈钢所得结果进行了比较 ,比较结果表明共注入方法对材料表面改性比双注入方法更有效。     

V+C共注入对不锈钢表面机械

采用改进的MEVVA源阴极对不锈钢进行了V+C共注入,并做了X射线衍射分析,硬度和磨损实验.V+C共注入剂量为1×1017-8×1017cm-2,能量为80keV.实验结果表明,V+C共注入后不锈钢表面的机械性能得到了改善,表面硬度增加了16%-82%,而耐磨性则是未注入样品的1.4-2.2倍,最好的结果均从剂量为4×1017cm-2的样品中得到.X射线分析表明,V+C共注入后在不锈钢表面形成了新相FeV,Cr2VC2,VC,Cr23C6和Fe5C2.这些新相在提高表面硬度和耐磨性方面起了重要作用.这些结果与V+C双注入同种不锈钢所得结果进行了比较,比较结果表明共注入方法对材料表面改性比双注入方法更有效.     

Nano-phases and corrosion resistance of C+Mo dual implanted steel

The corrosion resistance of C + Mo dual-implanted HI3 steel was studied using multi-sweep cyclic voltammetry. The phase formation conditions for corrosion resistance and its effects were researched. The super-saturation solid station solution of Mo+ and C+ atoms was formed in Mo + C dual implanted steel. Precipitate phase with nanometer size Fe2Mo, FeMo, MoC, Fe5C3 and Fe7C3 were formed in dual implanted layer. The passivation layer consisted of these nanometer phases. The corrosion resistance of the dual implanted layer was better than that of single Mo implantation. Jp of the Mo implanted sample is 0.55 times that of H13 steel. The corrosion resistance of the dual implantation was enhanced when ion dose increased. When the Mo+ ion dose was 6 × 1017/cm2 in the dual implantation, Jp of the dual implanted sample was only 0.11 times that in H13 steel. What is important is that pitting corrosion properties of dual implanted steel were improved obviously.     

钕离子注入单晶硅光致发光的起源

Nd离子注入到 (111)单晶硅中形成钕掺杂层 ,室温下 ,紫外光 (2 2 0 nm )激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱 ,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强 .X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在 Si— O,Nd— O,Si— Si和 O— O键 .发光主要是由于 Nd3+ 的 4f内层电子的辐射跃迁所致 ,同时 ,离子注入带来的缺陷和损伤也能发光     

(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 ,室温下发光强度温度猝灭不明显     

钕离子注入单晶硅光致发光的起源

Nd离子注入到(111)单晶硅中形成钕掺杂层,室温下,紫外光(220nm)激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强.X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在Si-O,Nd O,Si-Si和O O键.发光主要是由于Nd3+的4f内层电子的辐射跃迁所致,同时,离子注入带来的缺陷和损伤也能发光.     

(Si,Er)双注入热氧化SiO2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到～10%,即体浓度～1021cm.热氧化SiO)2膜越厚,溅射后SiO2保留量越多;再结晶硅颗粒结晶程度提高,逐渐纳米化;未见有大量的Er偏析或铒硅化物形成,Er大部分以固溶形式存在.在77K下获得了较强1.54μm光致发光信号,室温下发光强度温度猝灭不明显.     

Nanophase formation and its behavior of corrosion resistance in C+Ti dual implanted steel

After corrosion and pitting corrosion, the wire nanometer phases are observed using a transmission electron microscope (TEM) in C + Ti dual implanted H13 steel. The property of corrosion resistance dual-implanted (C + Ti) H13 steel is studied using multi-sweep cyclic voltammetry. TEM images of the cross section of an implanted sample reveal plenty of circular nanometer structures with diameters of 10-30 nm. The phases are densely embedded in the implanted layer. The embedded structure improves the surface corrosion resistance, as can be observed with a scanning electron microscope (SEM). The phases with the shape of a tiny wire in nanometer size are formed. The nanometer phases, consisting of TiC, FeTi and FeTi2, are formed in dual implanted layer. The corrosion current peak density decreases to 1/16-1/10 that of the unimplanted H13 steel. The formation conditions of the nanometer phases and their effects are investigated. The passivation layer consists of nanometer phases. The corrosion resistance of th     

退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源交稀土金属Er离子注入单晶硅中，经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10at%,即可达10^21cm^-3量级。XRD分析薄膜物相结构发现，退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得，退火温度影响辐照损伤的恢复程度，Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.54μm光致发光。