全息照相实验中光强的测量

文章提出了使用硅光电池配合LED电压表测量参考光以及物光光强的实验方法。经过实验与教学验证,该方法简单易行、性能稳定、成本低、在全息实验教学中取得了良好的教学效果。     

管式桁架起重臂的焊接变形控制

通过CC-1000履带式起重机管式桁架起重臂的焊接生产,研究了影响大型管式桁架起重臂焊接变形的关键因素和控制方法。     

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采用正电子湮没寿命和多普勒展宽谱探讨了含铜超低碳微合金钢在连续冷却过程中,微量元素铜对其缺陷的影响。结果表明:从1 150℃以5℃/s冷速到850℃的过程中,超低碳微合金钢中的主要缺陷为单空位和位错;铜元素不仅显著影响了微合金钢中缺陷数量随温度的变化规律,并且降低了单空位和位错缺陷的总数量;不含铜微合金钢中缺陷数量随温度的降低先增大再减小,且在1 000℃时达到最大值;含铜微合金钢中缺陷数量随温度的降低基本保持不变。     

射频磁控溅射法制备氧化铝涂层绝缘性能及吸氢特性

氧化铝具有优良的绝缘和阻氚性能,是ITER候选功能材料之一。本工作采用射频磁控溅射法在中国低活化马氏体（CLAM）钢基底上制备了氧化铝涂层。分别采用掠入射X射线衍射、Raman激光光谱和原子力显微镜对氧化铝涂层的结构和表面形貌进行了表征;测量了氧化铝涂层体电阻率;研究了氧化铝涂层样品的吸氢特性。结果表明：氧氩比为0.1和0.5下制备的氧化铝涂层为非晶结构,氧氩比为0.4下制备的涂层中出现了结晶程度较差的氧化铝δ相结构;氧氩比为0.1和0.4下制备的涂层粗糙度和粒径均小于氧氩比为0.5下制备的涂层;不同氧氩比下制备的氧化铝涂层体电阻率均超过2.7×10¹⁴Ω•cm,氧氩比为0.4下制备的涂层电阻率最高,达到2.1×10¹⁵Ω•cm;氧氩比为0.5下制备的涂层样品具有最低的吸氢量。氧氩比对涂层的电绝缘特性和吸氢特性有显著影响。     

衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响

采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温沉积的HfO2薄膜为非晶态,当衬底温度高于100℃,薄膜出现单斜晶相,随着衬底温度继续增加,(111)择优取向更加明显,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度减小.     

氧氩比对低活化马氏体钢表面氧化铪涂层性能的影响

本文采用射频磁控溅射法在不同氧氩比下制备氧化铪涂层.研究了涂层的沉积速率、表面形貌、微观结构和电绝缘特性随氧氩比的变化.结果表明用此方法在低活化马氏体钢上制备的氧化铪涂层表面致密、无明显孔洞;低活化马氏体钢为衬底时涂层较易结晶为以单斜相为主的晶体结构;且涂层的绝缘特性受氧氩比影响较大,氧氩比为0.7和1.2下制备的涂层击穿场强小于1 MV/cm,电绝缘特性较差,在较低氧氩比下制备的涂层有较理想的绝缘性能.