单晶AlN纳米线的合成和光致发光特性研究

在无催化剂和模板条件。利用直流电孤放电等离子方法直接氮化金属铝合成纤锌矿结构的单晶AIN纳米线．分别用X光射线衍射（XRD）和场发射扫描电镜（FESEM）对AIN纳米线的结构和形貌进行表征,并测量了AIN纳米线的光致发光谱（PL）．结果表明,A1N纳米线的长度超过100μm,直径大约200nm,具有较高的长径比;在AIN纳米线的PL谱中,中心在506nm的发射带源于氮空位相关的深能级缺陷．     

晶粒尺寸对锐钛矿TiO2相变压力的影响

采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术，在室温下对晶粒尺寸为10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究，压力范围分别为42．9GPa和23．0GPa，实验结果表明，在16．3GPa TiO2发生了一次结构相变，由原来的锐钛矿结构变为α－PbO2结构（TiO2-Ⅱ），该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较，由于晶粒尺寸的效应，纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。     

高温下石膏的拉曼光谱法研究

利用ALINKAM（TMS94）温度控制系统产生高温,在31℃～301℃温度范围内,对石膏（CaSO4.2H2O）晶体进行了原位高温拉曼光谱法研究。结果表明,在151℃附近,对称性伸缩振动范围属于熟石膏的特征拉曼振动模式（1026cm-1出现）,表明石膏转变成熟石膏（也叫烧石膏）,继续加温至301℃,熟石膏（CaSO4.0.5H2O）的拉曼光谱没有明显变化,熟石膏晶体结构稳定。     

直流电弧放电法制备氮化钼(γ-Mo2N)纳米晶

实验建立了利用直流电孤放电方法制备氮化钼(γ-Mo2N)纳米晶的新方法.选择钼(Mo)棒代替传统的钨棒作阴极,通过调节氮气压等实验参数,提高了金属钼(Mo)向氮化钼(γ-Mo2N)的转化.分别利用X光射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对制备的样品的结构和形貌进行了表征.     

高温高压下利用金刚石压腔实验技术对材料Raman光谱的研究

金刚石对顶砧装置(diamond anvil cell, DAC)是静态超高压装置的一种,由于金刚石具有高的硬度和良好的透光性,因此这种装置所实现的压力和能测量物性的种类都优于其他高压装置.Raman 光谱是表征物质结构及其变化的一种重要手段,DAC 超高压实验技术与激光Raman 光谱测试方法相结合, 为高压下物质结构相变研究提供了一种有效途径.实验利用金刚石压腔实验技术在高温高压条件下对氧化镓、硫酸锶固体材料进行了Raman光谱的测量.     

纳米晶BaTiO3的高压研究

采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法，对小于临界尺寸（120nm)的纳米晶BaTiO3(48nm)进行了研究，在实验压力范围内（0－21．2GPa,0-46.67GPa)，纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。     

立方 TaN纳米粉的制备

采用直流电弧法使金属钽和氮气直接反应制备出了TaN纳米粉.利用XRD、XPS、TEM等测试方法对所制备的TaN纳米粉进行了表征.结果表明：所制备的纳米粉为单一的立方相TaN,纳米颗粒的平均粒度为5～10nm.实验中还发现氮气的气压对制备纯立方相TaN具有关键性作用,并讨论了立方相TaN的形成机理.     

三聚氰胺(C3N6H6)分子晶体的压致结构相变研究

本文通过对三聚氰胺（C3N6H6）的室温高奈原位同步辐射能量散射X－ray衍射实验（EDXD），在14.7GPa压力范围内，观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在1.3GPa下，三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相；在8.2GPa又转变为正交相。本实验结果为利用三聚氰胺碳氮有机分子晶体高温高压合成超硬C3N4共价晶体的研究提供了重要信息。     

纳米晶BaTiO3的高压研究

采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法，对小于临界尺寸（120nm）的纳米晶BaTiO3(48nm）进行了研究，在实验压力范围内（0－21．2GPa,0-46.67GPa），纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。     

三聚氰胺（C3N6H6）的压制结构相变

本通过对三聚氰胺(C3N6H6)的室温高压原位同步辐射能量散射x-ray衍射实验（EDXRD），在14．7GPa压力范围内，观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在1．3GPa下，三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相；在8．2GPa又转变为正交相。