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1.
利用60Coγ-射线源研究宇航用典型石英钟振及其内部SM5009型振荡电路的电离辐射效应,测试辐照条件下钟振输出信号幅度、电源和电流等参数变化情况,分析这些参数变化与振荡电路失效之间的关系。结果表明,辐照条件下SM5009的场氧漏电较为严重,受照剂量达1500 Gy(Si)时,其漏电流增大至10-4A量级,这是导致辐照条件下钟振功耗电流增大的主要原因。同时SM5009的输出高电平对受照剂量较为敏感,当受照剂量达1500 Gy(Si)时,输出高电平下降约0.5 V,导致钟振输出信号峰峰值随受照剂量的增加而下降。  相似文献   
2.
利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和SEGR效应以及VDMOSFET漏源击穿电压对电离总剂量效应比较敏感,空间应用时需重点考虑VDMOSFET的抗SEB和SEGR能力;考核VDMOSFET的抗电离总剂量效应能力时对阈值电压和击穿电压等敏感参数应重点关注。  相似文献   
3.
4.
本文对某复杂铜钴矿石进行了提高浸出率的试验研究.试验通过硫酸浸出的方法浸矿,研究了各因素对铜钴矿浸出效果的影响,并获得了最优浸出条件.与现有工艺相比,本试验中铜、钴的浸出率得到明显提高.  相似文献   
5.
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vout、正路输出电流Iout、抑制模式下的输入电流Iinhibit等参数随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明:虽然同为小功率器件(DVHF2812DF与DVTR2815DF),但抗总剂量辐射能力有所差异,这与以往结果不同;由于氧化物正电荷的累积,在追加辐照时器件参数发生很大变化;满功率负载条件下器件的电参数随总剂量变化明显;抑制模式下输入电流可作为一评估器件抗辐射能力的敏感参数。  相似文献   
6.
研究了典型DC/DC电源变换器辐照后不同输出负载、不同输入电压等测试条件下,DC/DC电源变换器输出电压等参数变化情况与辐照剂量之间的关系.研究结果表明,DC/DC电源变换器输出电压衰减程度随输出负载功率增大;输入电压变化对输出电压特性的影响程度较小.  相似文献   
7.
声音频谱峰值法被广泛应用于罐装食品真空度检测领域,但是当检测环境出现声音强度较大且与罐盖振动产生的声音的频段相同的噪声时,该方法可能做出误判。为此,提出声学阵列法:由麦克风阵列采集多路混合声信号,采用稀疏半非负矩阵分解从混合声信号中分离出干净的罐盖振动产生的声音,再利用声音频谱峰值法判断真空度是否合格。该文研究稀疏半非负矩阵分解的数学模型,并且推导求解稀疏半非负矩阵分解的迭代优化函数。实验结果表明,无噪声环境下,声音频谱峰值法和声学阵列法的真空度检测结果均准确,但在噪声环境下,声音频谱峰值法出现误判时,声学阵列法仍能做出准确判断。  相似文献   
8.
运用程序占空比概念,对星用微处理器动态和静态单粒子翻转率之间的关系进行了研究,实现了星用微处理器动态单粒子翻转率的预示。将星用微处理器在轨运行期间满足单粒子翻转指标要求的概率与单粒子翻转率和飞行寿命联系起来,探讨了器件级和系统级的星用微处理器抗单粒子翻转可靠性预示方法。  相似文献   
9.
分别采用等离子-MAG复合焊方法和普通MAG焊方法,均选用ER308LSi焊丝,对轨道车辆用SUS301L-MT不锈钢板进行了焊接试验,并对这两种接头进行了拉伸、弯曲和疲劳试验。结果表明:与普通MAG焊方法相比,等离子-MAG复合焊接头的屈服强度有所提高,而抗拉强度和伸长率略有降低,所有拉伸试样均破断在强度较低的焊缝区。经正弯与背弯试验,这两种焊接接头均无裂纹出现;等离子-MAG复合焊接头在指定寿命N_f=2×10~6周次时疲劳强度为317.2 MPa,相对于普通MAG焊接头的疲劳强度(268.9 MPa),其疲劳强度提高近18%。  相似文献   
10.
为严格控制低成本卫星和商业卫星的研制成本,并缩短研制周期,有效手段之一是采用工业级器件、普军级器件,甚至是商用货架(Commercial Off-The-Shelf,COTS)器件。但是,研制成本与空间辐射环境适应性之间的矛盾是低等级器件和COTS器件在空间应用时需解决的主要问题。在分析低成本卫星和商业卫星空间辐射环境的基础上,结合NASA、ESA对低等级器件提出的评估筛选标准,思考了低成本卫星和商业卫星用电子器件抗辐射加固保证流程,为后续制定低成本卫星用元器件质量保证体系和大纲提供支撑。  相似文献   
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