外吸除用硅片背面加工技术的研究

用SEM、TEM和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤（包括软损伤）和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理。实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片生产寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果。     

SiH_4－O_2体系LPCVD SiO_2薄膜的工艺及其应用

本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。     

国内外多晶硅行业情况

回顾了近几年国内外多晶硅生产现状及2010年前全球多晶硅生产商扩产计划和达产目标,并概括了目前多晶硅生产新工艺。提出全球在2008年以后太阳能级多晶硅产能与太阳能硅电池的需求逐渐趋于平衡;太阳能级多晶硅的主流生产工艺仍然是化学法,冶金精炼法将来能成为一种补充;至2010年中国的太阳能级多晶硅行业将在世界上占一席之地;但国内太阳能级多晶硅厂商,在2010年如仍不能掌握西门子法低成本工艺、副产品的综合利用及环保技术,将会陷入困境。     

国内外多晶硅工业现状

回顾了2005～2006年国内外多晶硅生产现状及2010年前全球多晶硅生产商扩产计划和达产目标，并概括了目前多晶硅生产新工艺。提出全球在2008年以后太阳能级多晶硅产能与太阳能硅电池的需求逐渐趋于平衡，供需矛盾缓和，价格开始回落；太阳能级多晶硅的主流生产工艺仍然是化学法，冶金精炼法将来能成为一种补充；至2010年中国的太阳能级多晶硅工业将在世界上占一席之地；但国内太阳能级多晶硅厂商，在2010年尚不能掌握西门子法低成本工艺、副产品的综合利用及环保技术，将会陷入困境。     

多晶硅吸杂效能的研究

用透射电镜（ＴＥＭ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和光学显微镜研究了淀积在单晶衬底上的多晶硅层的吸杂能力。研究显示多晶硅还存在两种吸杂的效能：一是能增强内吸杂；二是即使多晶硅在工艺流程中耗尽，在衬底中产生的层错和位错会继续起着吸杂作用。     

软损伤吸杂作用机构的分析

用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构 :当热氧化时软损伤诱生热氧化层错 ,当外延生长时软损伤诱生半环形位错 ,硅片表面电活性区的有害杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上。     

用外吸除技术消除P型<111>硅片雾缺陷的研究——Ⅰ.背面多晶吸除技术

研究了背面多晶和改进的背面损伤两种外吸除工艺,及其在消除P型<111>硅片雾缺陷中的应用。用TEM、SEM和热氧化等方法分析了背面多晶层和背面损伤层的微观结构和吸除效果。简单叙述了SIMS和MOS c-t少子产生寿命的测试结果以及吸除机理。本文是第一部分,主要内容是背面多晶生长工艺及其在消除P型<111>硅片雾缺陷中的应用。     

淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究

在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽。在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错超吸除中心作用。多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用。本文提出了多晶硅持续吸杂的机理。