硅单晶研磨片残留损伤吸杂的研究

研究了一种新的外吸杂方法,它不需要在硅片加工过程中特意引入另外的外吸杂工序,而是通过控制腐蚀工艺条件,将硅片正常研磨加工中形成的损伤层保留一定的厚度,从而使硅片具有外吸杂能力。     

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ...     

用外吸除技术消除P型<111>硅片雾缺陷的研究——Ⅰ.背面多晶吸除技术

研究了背面多晶和改进的背面损伤两种外吸除工艺,及其在消除P型<111>硅片雾缺陷中的应用。用TEM、SEM和热氧化等方法分析了背面多晶层和背面损伤层的微观结构和吸除效果。简单叙述了SIMS和MOS c-t少子产生寿命的测试结果以及吸除机理。本文是第一部分,主要内容是背面多晶生长工艺及其在消除P型<111>硅片雾缺陷中的应用。     

沉积温度对多晶硅吸杂薄膜的影响

研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察。实验结果表明,随着沉积温度的不断升高,多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低,吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度。     

IC工艺控制参数及其与硅片特性关系

阐述了硅片的结构特性、电学特性、化学特性及机械性能等表征硅片质量水平的参数对IC工艺控制参数的影响,总结了制造IC对硅片特性的要求。同时讨论了硅片的“吸杂”应用问题,并根据IC的发展趋势强调了研究“材料与器件关系”的重要性。     

2吋吸杂硅片成果推广应用

去年12月24日在松江县举行了《2时吸杂硅片科研成果推广应用》验收会。由上海市科委、上海市科技开发中心及上海市有色金属工业公司联合组织验收。会议代表一致认为,上海有色金属研究所已具备2时吸杂硅片年生产1万片的中试生产能力,此中试线在国内尚属首家。2时吸杂硅片洁净层厚度达20-50μm(可控),体内杂质密度大于     

多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响

硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄膜,借助择优腐蚀和金相显微(OM)观察等手段研究了沉积厚度对重掺硼硅片内氧沉淀形成与分布的影响。结果表明:沉积的多晶硅薄膜越厚,硅片的形变量越大,小尺寸的氧沉淀数量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀则倾向于在体内和背面形成,洁净区的厚度则减小直至无洁净区建立。多晶硅薄膜通过对硅片施加应力引起硅片形变,从而影响氧沉淀硅片体内形成的位置,起到促进内吸杂的作用。最佳多晶硅沉积厚度为800 nm。     

综合吸杂技术在线性集成电路上的应用初探

本文从半导体线性集成电路生产观点,较详细地介绍了上海有色金属研究所的综合吸杂硅片和常规片在我厂SL322、SL325发光显示驱动电路条线上的投片情况。投片结果表明,吸杂硅片在器件的隔离漏电流、隔离击穿等电特性、初测合格率、总测合格率方面,均明显优于常规片。在投片过程中,我们还着重对外延层质     

300 mm双面磨削硅片损伤层厚度检测

测量300 mm双面磨削硅片损伤层厚度,不仅可以为优化双面磨削工艺提供科学依据,并最终可以减少双面磨削损伤层厚度,而且可以有助于减少抛光时间,改善抛光硅片的几何参数.本文应用恒定腐蚀法和双晶衍射法测量了300 mm硅片双面磨削工艺后的损伤层厚度,对恒定腐蚀法进行了较深入的研究,并结合恒定腐蚀法的结果对硅片进行双晶衍射.得出以下结论杨氏腐蚀液因为对缺陷具有良好的择优性能,可以用以损伤层厚度检测.而硝酸腐蚀液因为对缺陷不具有良好的择优性能,因而不能用以损伤层厚度检测;恒定腐蚀法可以粗略测定磨削硅片损伤层厚度,而双晶衍射法可以精确测定磨削硅片损伤层厚度;根据恒定腐蚀法的测试结果来进行双晶衍射,可以减少测试样品的数量,节省试验经费;300 mm直拉P型＜100＞硅片经2000#砂轮双面磨削后的损伤层厚度为12.5μm.     

硅片表面状态与机械强度

硅片表面状态与机械强度谢书银，石志仪（中南工业大学４１００８３）关键词：硅片，化学腐蚀，表面损伤，抗弯强度，表面处理（一）前言半导体器件所用的研磨硅片在器件生产过程中都有一定程度的破碎，尤其是当硅片较薄时，破碎问题相当严重。发生破碎的原因除与硅片内在...     

硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术

本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术：机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展，作了详细的评述。     

硅中氧行为研究的新进展

本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量，并对与内吸除有关的因素，即硅中氧行为，如硅中氧施主，氧沉淀及其衍生缺陷，硅片中的吸净层，硅片中的氧与翘曲的成因机制等，作了概要介绍。     

硅片和硅器件工艺中的本征吸除技术

本文介绍了本征吸除技术的产生、发展、应用,以及本征吸除的机制。     

硅中的缺陷和硅片热处理

本文评术了近年来着重研究的ＣＯＰ、ＬＳＴＤ、ＦＰＤ和ＢＭＤ等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷，提高ＧＯＩ合格率的实验结果。研究表明，硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。     

GaAs抛光表面损伤的RBS研究

本文以卢瑟福离子背散射技术（ＲＢＳ）检测了半绝缘ＧａＡｓ（１００）化学机械抛光表面的微损伤状况，并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度。研究了以胶体ＳｉＯ２和ＮａＯＣｌ溶液的混合液对ＧａＡｓ进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响。把ＲＢＳ法同Ｘ射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较，二者对应得很好。通过逐层腐蚀与ＲＢＳ相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度，发现如果抛光条件不适宜，获得的晶片表面尽管目视光洁度很好，也还有一定厚度的损伤层。ＲＢＳ法测得好的非掺半绝缘ＧａＡｓ（１００）（由ＬＥＣ法生长）抛光表面散射粒子最低产额低达３１％，这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层。     

化学腐蚀后的表面状态对硅片Fe沾污的影响

利用不同的酸腐蚀和碱腐蚀条件对硅片进行了腐蚀,分析了腐蚀后的硅片表面状态对Fe沾污的影响。实验结果表明,不同酸腐蚀条件的硅片经过以HF酸结尾的改进型RCA(Radio Corporation of America)清洗法清洗后,表面疏水性增强,相对不易附着Fe离子,而当酸腐蚀硅片表面经过SC-1溶液处理后,表面亲水性增强,附着的Fe离子较多,且难以通过超纯水冲洗去除;随着酸腐蚀硅片表面粗糙度的增大,表面吸附的Fe离子也增多。不同碱腐蚀条件的硅片去除量越小,表面残留的研磨造成的机械损伤层厚度则越大,损伤层厚度较大时,表面吸附的Fe离子也越多,且难以通过超纯水冲洗去除;在90℃下腐蚀40 s的硅片,由于去除量约为4.2μm,研磨过程中造成的表面损伤层沾污没有完全去除,残留在损伤层中的Fe沾污经过改进型RCA清洗后也无法去除,沾污会在退火过程中扩散进入硅片体内。     

节理岩体损伤的分形研究

在岩石材料损伤模型的基础上,把损伤力学与分形理论结合起来推导节理岩体损伤的本构方程,定性分析反映岩体损伤程度的分维数ｍ和Ｄ关系,最后给出ｍ、Ｄ的确定方法。     

单轴压力作用下岩石损伤演化特征研究

采用赤微观测法和双曝光全息干涉法研究了单轴压力作用下岩石损伤特征,得出了变质砂岩变形与损伤演化的关系。岩石损伤演化实际上是微裂纹扩展区的演化即岩石中微孔隙、微裂纹成核和扩展的过程,裂纹萌生演化的分形分布受岩石组成、结构以及初始缺陷的影响,裂纹的汇合贯通制约着岩石的损伤状态和非线性变形,单轴受压岩石断裂机制主要是张拉破坏和局部剪切破坏。