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以C-V测量、击穿电压测量并结合逐层腐蚀技术,对GaAs外延多层结构的剖面分布进行了测量,获得了GaAs(100)晶片在不同温度下的H_2SO_4-H_2O溶液中的腐蚀速度数据。结果表明,当H_2SO_4:H_2O_2:H_2O=9:1:1时,对n=1.10 ̄(14)~1.10 ̄(18)cm ̄-3的GaAs(100)晶片,20℃时的腐蚀速度为v=0.3~0.9μm/min.作者认为,这一配方对GaAs(100)多层结构是一个最为理想的减薄腐蚀剂。 相似文献
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本文介绍了 AsCl_3精馏装置的改进,通过管道接口及截门的一些改进,使 AsCl_3的产品质量获得提高。经本法制备的 AsCl_3用于制备高纯 GaAs 气相外延片,其电学参数达到国际先进水平。GaAs 的μ_(77K)=2.05×10~5cm~2/V·s,峰值电子迁移率μ=3.78×10~5cm~2/V·s。 相似文献
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研究了 Ga-AsCl_3-H_2开管外延系统中 GaAs 的生长速率问题。采用对掺杂量进行调制,同时结合多层结构浓度剖面分布测量,证明了生长速率不随时间变化。由于这一技术的通用性,因而可用于其它外延材料生长速率的研究。 相似文献
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