高速SiC MOSFET开关特性的测试方法

为正确地评估高速SiC MOSFET的开关特性,基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究。首先,仿真证明电路中寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,优化设计PCB布局以减小寄生电感,对比PCB布局优化前后的测试结果。其次,对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiC MOSFET开通特性的影响。然后,对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响,并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响。最后,对比分析不同测试点对测试结果的影响。     

桥式电路中不同封装SiC MOSFET串扰问题分析及低栅极关断阻抗的驱动电路

由于SiC MOSFET开关速度较快,使得桥式电路中串扰问题更加严重,这样不仅限制了SiC MOSFET开关速度的提升,也会降低电力电子装置的可靠性。针对SiC MOSFET的非开尔文结构封装和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析,栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路,该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理,提供主要参数的计算方法。最后通过实验测试了两种结构封装SiC MOSFET的串扰问题,并且对提出的驱动电路进行了实验,验证了其正确性以及对串扰问题的抑制效果。     

并行CAD技术的发展趋势

对数字系统并行CAD研究发展概况进行了介绍，并阐述了并行CAD的未来发展。     

工程制图教学用CAI课件的开发与设计

将多媒体技术引入CAI系统当中，介绍了工程制图CAI课件的设计过程和软件开发的关键技术。     

KZR轧机板形控制系统的设想

针对板形控制系统及智能控制系统的特点,将人工智能控制理论引入KZR轧机板形控制系统中.仿真结果表明该系统具有良好的控制性能,提高了板形控制质量,为板形控制系统的设计提供了一种全新的方法.     

CAD技术的发展趋势及其相关技术

CAD是当前设计单位的热门话题之一,如何改造传统的设计方法建设现代化的设计院,从科技进步中获得经济效益,是一个很值得讨论的问题。CAD技术作为电子信息技术的一个重要组成部分,是促进科研成果的开发和转化,促进传统产业和学科的更新和改造,实现设计自动化,增强企业及其产品在市场上的竞争能力,加速国民经济发展和国防现代化的一项关键性高技术,也是进一步向计算机集成制造（CIM）发展的重要技术基础。CAD技术发展的主要趋势是集成化、标准化、智能化和网络化。一、 集成化集成化就是向企业提供一体化的解决方案,集成化的含…     

切削加工尺寸精度模糊智能控制技术

针对金属切削加工中影响工件尺寸精非线性因素从多、精确数学难以建立的特点,提出金属切削加工尺寸精度控制的模糊智能化方法,设计了自寻优模糊控制器,实现了工件尺寸在线智能监控,试验仿真结果表明,这种控制器具有很好的鲁棒性,获得了满意的控制效果。     

超临界流体干燥法制备纳米TiO_2

以廉价的无机盐为原料,采用液相化学法结合超临界流体干燥法制备纳米TiO2,并采用TEM、XRD等手段对其物性进行表征,考察水溶胶pH、表面活性剂、陈化时间、钛盐浓度、氨水浓度对纳米TiO2粒径、形貌、收率的影响。同时还发现超临界流体干燥法可实现干燥、晶化一步完成。与普通干燥法相比,超临界流体干燥法制备的TiO2纳米粒子具有粒径分布均匀、粒径大小可控、纯度高、热稳定性好等优点。     

人工神经网络推理的模糊控制器应用于热轧带钢厚度设定

将神经网络进行推理的模糊控制技术应用于某钢铁公司热轧带钢厚度设定中，得到高精度的辊缝设定值，为热轧带钢精轧机组厚度设定模型的研究提供了一析方法，进一步提高了厚度控制精度。