纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理

用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致．X射线光电子能谱（XPS）分析显示膜中不存在纳米晶硅成分，表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。     

晶粒尺寸分布对纳米晶硅薄膜喇曼散射谱的影响

用热丝助化学汽相反应法沉积了nc－Si：H薄膜，测量了它的喇曼散射谱，由透射电子显微镜直接测量了晶粒的大小和分布．应用声子强限制模型和球形粒子假设，并考虑到纳米晶粒的分布对样品的喇曼散射谱进行了拟合．结果表明，在考虑到纳米粒子的尺寸分布后，采用指数权重函数比采用高斯型权重函数更接近于实验测量的喇曼谱．     

a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的界面特性研究

本文用红外(IR)和拉曼(Raman)谱研究了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的界面特性.定量分析发现,界面处没有因应力释放引起的 H 富集,不存在由超晶格结构引起的界面结构无序,界面处存在着～(5±2)(?)的 Si、Ge 组分混合层.我们对结果进行了初步分析.     

电磁场调制下石墨烯中Hartman效应的研究

从理论上研究了电磁场调制下非本征石墨烯中的Hartman效应。利用相位移动及传递矩阵的方法计算粒子隧穿的群延迟时间τg,系统地分析群延迟时间与不同参数(如粒子能量E、入射角度θ、电磁场强度U和A珤等)之间的关系。石墨烯中的载流子是狄拉克费米子,故用狄拉克方程表征。研究发现在势垒宽度足够大时,石墨烯中的狄拉克费米子隧穿通过势垒的群延迟时间τg与势垒宽度无关,证明Hartman效应不仅存在于静电场下零带隙的石墨烯中,还存在于电磁场调制下非本征(非零带隙)的石墨烯中。     

共价键结构半导体的低温热容

分析了共价键半导体的低温热容。得到丁热容随温度变化的关系式并与实验结果作了比较。指出共价键半导体低温热容与其带隙宽度及掺杂程度有很大的关系。零带隙半导体低温热容随温度趋于热力学温度零度依 T(?)而趋于零。     

反应溅射生长的a-Si:H/a-Ge:H超晶格光学性质研究

本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在由于超晶格结构引起的界面结构无序,界面无H富集现象.     

Li, Co共掺杂ZnO纳米颗粒的结构和磁性研究

利用溶胶-凝胶法制备了不同组分的Zn_(0.95-x)Co_(0.05)Li_xO纳米颗粒, 并通过透射电子显微镜、 X射线衍射、紫外-可见吸收光谱和振动样品磁强计对其结构和磁性进行了系统的研究. 结果表明, 当Li掺杂比例在7%以下时, Zn_(0.95-x)Co_(0.05)Li_xO纳米颗粒仍具有很好的ZnO六角纤锌矿结构, 但随着Li掺杂量的增加, 晶格常数a和c值略有减小; Zn_(0.95-x)Co_(0.05)Li_xO的室温铁磁性随x的增大而显著增强. 当Li掺杂量达到9%时, 在Zn_(0.95-x)Co_(0.05)Li_xO纳米颗粒的XRD谱中检测出第二相的LiCoO_2団簇, 样品的铁磁磁化强度明显下降. 表征结果显示Li掺入Zn_(0.95)Co_(0.05)O的反应过程可以分为3个阶段. 前两个阶段分别在材料中引入了Li′_(Zn)深能级缺陷和Li~+填隙离子, 第三个阶段则产生了LiCoO_2第二相结构. 样品铁磁性的变化与Li掺杂引入的这些缺陷和第二相有关, 可由束缚磁极化子(BMP)模型解释.     

溶胶-凝胶法制备Cu/ZnO的室温铁磁性

为研究稀磁性半导体的室温铁磁性来源,采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂ZnO半导体粉末。X射线衍射光谱显示Cu在ZnO中的固溶度小于0.08 (摩尔比);透射电子显微镜分析显示颗粒尺寸较为均匀,呈单结晶态;振动样品磁强计测试表明,Cu/ZnO具有室温铁磁性。由于Cu本身不具有任何磁性,样品的铁磁性来源为氧化锌晶格中的缺陷与Cu2+离子之间的交换作用。