Hazy Backside Gettering with a-Si: H Film

Hazy backside gettering of boron-doped <111> siljcon wafer with a-Si: H film deposited by rf glowdischarge technique (rf-GD) has been investigated by SEM, optical microscope and preferential etching tech-lique. lt is evident that the deposited film can effectively getter the haze after annealing at l l00℃in wet oxy-len ambient for 120 min. The pre-crystallization annealing at 650℃ in argon ambient for 10 min enhances thegettering effectiveness. The low temperature(200～300℃) process of growing extrinsic gettering film reducesthe processing contamination.     

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ...     

P〈111〉硅磨片表面损伤的研究

Ｐ〈１１１〉硅磨片表面损伤的研究刘峥翟富义张椿尤重远（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅片损伤层位错１引言自５０年代中期以来，一直进行着硅单晶片表面质量方面的研究工作。观测晶片表面机械损伤层的深度，性质及其在高温工艺过程中的变化等工作...     

重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究

采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷.实验表明反应过程中温度控制在25～30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速度.实验还发现,对于<100>重掺样品,使用有搅拌的改良Dash无铬溶液显现的损伤缺陷密度低于有铬择优腐蚀液.而对于<111>重掺样品,未见明显差异.最后,探讨了在使用无铬溶液显示重掺Sb晶体缺陷时,缺陷难显现,而且密度低的原因.