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CMOS兼容高Q值微机电系统悬浮片上螺旋电感 总被引:2,自引:0,他引:2
利用微机电系统(MEMS)表面微加工技术设计并制作了一种应用于无线电引信射频前端的CMOS兼容高Q值悬浮片上螺旋电感。电感的制作工艺在热预算和材料选择上均具有良好的CMOS兼容特性。通过采用铜金属悬浮线圈结构减小了片上螺旋电感损耗因素,显著提高了片上螺旋电感Q值。采用电磁场有限元分析软件HFSS对该电感模型进行了仿真研究,完成了悬浮片上螺旋电感的制备并进行了测量。测量结果表明:所设计的CMOS兼容MEMS悬浮片上螺旋电感Q值在1~7.6GHz测量频段均大于20,在7.4 GHz频段最大值达到了38. 相似文献
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采用电场辅助沉积技术和光刻剥离工艺,在5~40 kV沉积电场作用下,以Si(100)为衬底,制备一系列条纹宽度为40μm的Fe50Ni50纳米颗粒薄膜材料.采用XRD、SEM、AFM及VSM等测试方法,研究薄膜结构、形貌和磁性能;用单端口短路微带线法对其微波性能进行表征.结果表明:增加沉积电场大小,可方便、有效实现条纹结构Fe50Ni50纳米颗粒薄膜饱和磁化强度MS和面内单轴磁各向异性场Hk值同时提高,使薄膜铁磁共振频率向更高频段移动. 相似文献
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传统磁控溅射装置制备的纳米颗粒薄膜粒径不均一并且实现粒径大小调控比较困难。本研究采用电场辅助沉积技术,在沉积平台施加5~30 kV的电场,以Si(100)为衬底制备了一系列纳米颗粒粒径均一的高致密度FeNi纳米颗粒薄膜材料。通过XRD、SEM以及VSM测量,研究了不同沉积电场下FeNi纳米颗粒薄膜的结构、形貌和磁性能。利用单端口短路微带线法对0.5~5.5 GHz范围内的微波磁谱进行表征。实验结果表明:沉积电场越大,纳米颗粒粒径均一且薄膜的致密度越高,越有利于薄膜综合磁性能的改善和饱和磁化强度增大。薄膜材料微波磁谱表明,电场辅助沉积技术制备的软磁薄膜材料能够在GHz频段得到广泛应用。 相似文献
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通过实验和理论分析,确定了空气环境中AP超细粉料形成软团聚的过程中,液桥力最大,其次为范德瓦尔斯力与静电力.并根据作用力的大小,设计了静电分散分级实验,通过电晕风使微颗粒均匀荷电,借助库仑斥力来实现软团聚的分散分级. 实验获得的最佳分散分级电压参数为6 kV,可以将AP粉料中所含细粉的90%以上分离收集,并通过测量细、中、粗粉料质量的比例参数,在线表征AP超细粉料的状态. 相似文献
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