Ti—Ni—Nb三元系相图700℃等温截面

应用多元扩散偶－电子探针微区成分分析技术，测定了Ｔｉ－Ｎｉ－Ｎｂ三元系相图７００℃等温截面，确定了该三元系相图的７００℃等温截面的１２个单相区，２３个两相区和１０个三相区。１２个单相区是：α－Ｔｉ、β－（Ｔｉ，Ｎｂ）、Ｔｉ２Ｎｉ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮｉ３、（Ｎｉ）、Ｎｉ３Ｎｂ、Ｎｉ６Ｎｂ７、ＸＡ、ＸＢ、ＸＣ和ＸＤ，其中ＸＢ化合物为首次发现。     

再结晶退火对Ni_（47）Ti_（44）Nb_9合金冷轧板相组成及板材织构的影响

采用Ｘ射线衍射术和ＯＤＦ研究了再结晶退火对Ｎｉ４７Ｔｉ４４Ｎｂ９合金冷轧板相组成和织构的影响。结果表明，冷轧板材的相组成为Ｂ２＋β－Ｎｂ＋Ｂ１９＇；织构类型为面织构｛００１｝ｐ＋｛１１０｝ｐ再结晶退火期间，马氏体相Ｂ１９＇逆转变为母相Ｂ２，合金的相组成为：Ｂ２十β－Ｎｂ，而再结晶织构为：｛００１｝＜１１０＞ｐ。     

稀土元素钆对Ti—6A1—4V和IMI829合金组织与性能的影响

本文研究了稀土元素钆(Gd)对Ti-6Al-4V和IMI829合金组织与性能的影响。结果表明,Gd在这两种合金中的行为是不同的。在Ti-6Al-4V合金中添加0.25～1.0wt%Gd,产生Gd-Ti-Al型沉淀物粒子,当Gd含量超过0.5wt%以上时,沉淀物以长条状富集于晶界,严重恶化合金高温(950℃以上)下的可锻性;在IMI829合金中添加0.1～1.0wt%Gd,可细化该合金的组织,产生Gd-Sn-Ti型沉淀物粒子,改善了合金的拉伸性能,其中,含0.2wt%Gd的IMI829合金具有最佳的拉伸性能。当IMI829合金中Gd含量较高时,虽然沉淀物粗化并呈不均匀分布,但由于晶粒的细化,合金的拉伸性能仍有所改善。     

加工TiNi形状记忆丝的新工艺

采用模拟试样研究了Ti/TiAl、Nb/TiAl和NbTi/TiAl 3种复合材料的界面特性。结果表明,爆炸试样的界面反应层厚度远小于热等静压试样的界面反应层厚度。在同一条件下热等静压成型的这3种复合材料,其界面差异明显:Ti/TiAl和NbTi/TiAl试样的界面反应层较厚,界面结合强度较高;Nb/TiAl试样的界面反应层较薄,界面结合强度较低。     

铝化物涂层的高温氧化和腐蚀机理研究进展

铝化物涂层被广泛应用于发动机热端部件(如涡轮叶片)的防护,然而在服役过程中,铝化物涂层极易发生高温氧化与热腐蚀,导致失效。针对铝化物涂层在高温环境中服役失效的问题,重点介绍了铝化物涂层的高温氧化与热腐蚀机理、影响铝化物涂层的高温氧化与热腐蚀的因素,以及包括添加Cr、Si、Pt、活性元素等改性元素和进行预氧化处理在内的提升铝化物涂层的抗氧化性与耐腐蚀性能的方法。最后,展望了铝化物涂层高温氧化与热腐蚀研究的未来。     

原位反应制备颗粒增强钛基复合材料的研究进展

原位反应制备的颗粒增强钛基复合材料中增强颗粒与基体的相容性好,复合材料高温性能稳定,成为制备高性能颗粒增强钛基复合材料的首选途径.目前,粉末冶金法、熔铸法、放热弥散法、燃烧合成法和机械合金化法都已用于原位反应制备颗粒增强钛基复合材料.综述了这些制备方法的原理、特点以及制备出的复合材料的组织和性能,指出了原位反应制备颗粒增强钛基复合材料今后的发展方向.     

Ti-6Al-7Nb钛合金热加工与热处理工艺研究

研究了Ti-6Al-7Nb合金不同热加工与热处理工艺引起的显微组织和力学性能变化，探讨该合金组织变化的特点和性能变化的内在规律。结果表明，在工业化生产条件下，Nb元素添加采用铌钛中间合金，选用适宜的铸锭熔炼工艺参数，可以获得成分均匀、无富Nb偏析的优质铸锭。在两相区锻造或轧制后坯料在700℃～800℃范围内退火，合金组织与性能均能满足ASTM和ISO标准要求。     

CT20钛合金20K下的应变行为与组织关系分析

研究了一种新型近α钛合金CT20在两种不同热处理制度下的组织结构及低温拉伸性能。结果表明：合金经热处理后，在具有足够的室温拉伸塑性的同时，低温（20K）下拉伸塑性较高（δ=14％），符合低温下使用要求。低温下粗大的片状组织比等轴组织具有更高的拉伸延性，且合金的变形是由孪生变形和滑移变形共同作用的结果。当合金具有不同组织时，孪生和滑移变形的贡献不同。     

影响TiNi合金相变温度因素的探讨

TiNi合金的相变温度Af是影响合金组织和性能的重要参数,为此,针对TiNi合金制造生产过程中影响TiNi合金相变温度Af的3大因素:合金成分、塑性变形、记忆热处理进行了实验研究,结果表明:对Ti-xNi(x=49.9,50.0,50.1,at%)合金,在热处理制度为800℃,15 min+WQ,其Ni含量每增加0.1%,Af值约降低8℃;采用热加工生产TiNi记忆合金时,记忆热处理可不考虑材料加工经历,选择合适的处理制度,即可获得良好的记忆性能.