消烟剂和抗磨剂的功能元素及其化学表征

本文提出了油品添加剂功能元素及其化学表征法的概念,确定了消烟剂和抗磨剂的功能元素及其化学表征法,分析消烟剂和抗磨剂功能元素化学表征法的理论基础,建立并讨论了选择消烟剂和抗磨剂功能元素的若干规则以及油品添加剂功能元素化学表征法的一般原则和方法.     

基于Tilcon的综合导航信息处理装置界面设计

Tilcon是一个支持多种操作系统平台下理想的图形用户界面开发工具。针对传统综合导航信息处理系统用户图形界面粗糙、操作复杂、源代码繁琐、维护困难等问题,本文在对Tilcon的结构、特点、以及在VxWorks操作系统中的应用等方面进行深入分析的基础上,采用Tilcon对原系统软件进行了改进设计。工程应用实践表明,Tilcon功能强大、使用方便、代码可移植性好、开发周期短,是理想的嵌入式系统图形界面开发解决方案。     

硅基AlN应力和压电极化研究

通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)的方法在Si( 111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化 ,Raman谱观察到两个声子峰位分别在 619.5cm- 1 (A1 (TO) )和 668.5cm- 1 (E2 (high) )。通过光学声子E2 (high)的频移为 13cm- 1 计算得到AlN薄膜上的双轴压应力为 5 .1GPa ,在z轴方向上和在垂直于z轴方向上的应变分别为εzz=6 7× 10 - 3和εxx=-1 1× 10 - 2 ,产生的压电极化电荷PPE=2 .2 6× 10 - 2 c·m- 2 ,这相当于在Si的表面产生浓度为 1.41× 10 1 3c·cm- 2 的电子积累。同时 ,实验还发现在MOCVD生长过程中存在Si原子的扩散 ,在界面处形成了一个过渡层 ,过渡层主要以Si原子取代Al原子的位置并形成Si-N键为主。     

改善石油通信质量的对策探讨

石油行业的发展远离不开先进技术的应用，特别是在信号处理方面，已成为石油行业发展的一个关键性技术。本文作者主要针对当前石油通信质量存在的问题及提升石油通信质量的对策进行了详细阐述，希望能够对读者产生一些积极影响。     

煤矸石轻质骨料的性能研究

煤矸石综合利用既可以减少工业废弃物的堆弃,又可以推进固体废弃物的资源化利用。用固体废弃物煤矸石取代粘土和页岩生产陶粒,可大大降低环境负担,消除环境污染,对实现可持续发展具有重要的意义。     

工程量清单计价模式下的合理低价中标法浅探

<正>引言招投标制度作为工程承发包的主要形式在国内外的工程项目建设中已广泛实施,它是一种富有竞争性的采购方式,是市场经济的重要调节手段,也是保证工程质量、加快工程进度的最佳办法。其本质特征是"公开、公平、公正"和"充分竞争"。近些年来建筑招投标市场推出了多种评标办法,如标底法、百分比评审法、低价中标法等。这其中有的操作起来本身存在着诸多难以靠制度来约束的人为等因素,加之缺乏一些相应的配     

特高压直流输电工程750kV交流滤波电容器保护方案研究

换流站交流滤波电容器组的额定电压和额定容量比以往工程大幅度提高,对应的电容器单元串联数、台数和元件数更多。若按500 kV交流滤波电容器组的不平衡保护方案,不能满足高可靠性的要求,因此需要重新研究750 kV交流滤波电容器组电容器单元内部故障保护的不平衡电流保护。通过对750 kV交流滤波电容器组单桥差不平衡电流保护和双桥差不平衡电流保护的两种方案进行对比分析。结果认为:采用双桥差不平衡电流保护,做为750 kV交流滤波电容器组电容器单元内部故障保护更加安全可靠。     

二次凝聚法去除受污染原水TOC的影响因素研究

基于已有的研究成果通过混凝烧杯试验就二次凝聚法的凝聚剂投加量比例、快速混合强度和pH范围等因素对原水TOC去除效果的影响进行了研究。试验结果表明,将常规凝聚的加药量等分2次投加能取得最好的原水TOC去除效果,高混合强度有利于去除原水TOC,二次凝聚的最佳pH范围与原水pH范围一致。     

柴油机运行时向润滑油中定量补加添加剂

润滑油中补加添加剂后,添加剂的浓度增加很多,但这并不会使润滑油的有效作用马上成比例的增加。在某些情况下,润滑油的性能甚至有可能变坏。鉴于这种状况,人们对在发动机运行时向润滑油中定量补加添加剂表现出极大兴趣。该文分析了有可能在使用和储存条件下向燃料和润滑油中定量补加添加剂的方法(机械     

Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究

通过PL 谱和Raman谱对MOCVD生长Si基Al N的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1 ,Et2 ,Et3,分别在Ev 上2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2 、Et3都是由于衬底Si原子扩散到Al N引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,Al N中Et1 和Et2 两个深陷阱中心也是稳定的