X80焊管H_2S环境应力腐蚀开裂行为研究

采用三点弯曲加载法和微电极扫描测试技术,研究了X80高强度级管线钢及其焊缝区的抗H2S环境应力腐蚀开裂(SSCC)行为。测定了焊接接头的显微硬度分布,分析了显微组织结构、力学性能及抗腐蚀性能之间的相关性。研究表明,热影响区(HAZ)对应力腐蚀开裂最为敏感,母材的纵向和横向取样对应力腐蚀敏感性影响不显著,薄壁管材比厚壁管材有较好的抗H2S环境应力腐蚀性能。HAZ晶粒粗大、硬度高,局部腐蚀倾向大,由此导致该区SSCC敏感性高。     

FS-1化学镀Ni-P镀层的性能研究

采用XRD与SEM分析技术、电化学阳极极化曲线测试和 摩擦磨损试验等，系统地研究了FS-1化学镀Ni-P镀层的结构和性能.结果表明：该镀层具有 优良的耐蚀和耐磨性能，热处理虽可以显著地提高镀层的耐磨性能，但使其耐蚀性能有所降 低.     

"计算机网络基础"课程"金课"建设初探

为了响应教育部关于建设"金课"的倡议,基于我院计算机科学与技术专业的"计算机网络基础"课程特点,结合该专业的毕业要求,修订了课程目标;根据课程目标,重新整合了教学内容,确定了线上线下混合式教学模式;构建课程目标达成度评价体系,并将其用于后续教学过程.实践结果表明,该教学改革符合混合式"金课"的建设要求,提升了教学效果.     

微小电偶腐蚀电流的准确测定

为了更多地获得电偶腐蚀的信息并揭示其本质规律，提出了电偶腐蚀试验实时监测模型。通过选用不同设备对试样的电偶腐蚀微小电流的测量，结果发现：选用现成设备测量试样的电偶腐蚀微小电流时，测量电流波动非常大，噪声明显超过实际信号输入——电偶腐蚀电流。经自行开发研制的MCD01电偶腐蚀计可以准确的测量腐蚀电流，特别是微小电偶腐蚀电流。     

基于Web服务的物联接入系统设计

由于物联网接入设备与应用业务的多元性与复杂性的增加,实际物联网业务开发中需要对业务与设备做协同处理。针对此类问题,提出一种面向服务的模型架构,并据此以Web服务模式触发各类物联接入设备信息的消息管道流程,并在基础性接入信息处理过程中解决不必要的异构问题。基于Intel复杂指令集的嵌入式开发环境,利用多种语言协作设计实现一个物联接入系统。经实测可顺利完成应用层直接操控感知层的业务功能。     

钛合金表面硬化与固体润滑处理层的电化学腐蚀行为研究

分别利用等离子氮化技术和离子束增强沉积(IBED)技术使钛合金表面获得硬质抗磨层和MoS2，MoS2-Ti固体润滑膜层。通过电化学测试技术研究了膜层和钛合金基材在含Cl^-介质中的抗蚀性能和接触腐蚀敏感性：研究结果表明：Ti与MoS2的复合改善了MoS2膜的环境适应性，MoS2—17Ti复合膜层与钛合会接触相容；IBED TiN较钛合金电化学活性低，阳极极化行为与Ti6Al4V合金相近，与钛合金基体间电偶腐蚀敏感性低；钛合金等离子氮化处理层在NaCl水溶液中无论处于自然腐蚀电位还上弱阳极极化状态，均较钛合金电化学活性低，且与钛合金基体间电偶腐蚀敏感性低。     

普通钠钙玻璃SCC特性的测试与分析

本文探索出一种玻璃材料SCC特性的有效测试方法,并对普通钠钙玻璃在水,甲醇和甲酰胺三种介质申的SCC特性进行了测试与分析。结果表明,其da/dt-K_I曲线均无平台阶段,这是因为三种介质均是普通钠钙玻璃的活性促进剂。三种介质的SCC敏感性依次为水>甲醇>甲酰胺。进一步讨论认为,SCC敏感性与介质的未共享电子轨道的非对称性及给质子键的活性成正相关关系。     

Analysis of characteristics of bent rib waveguides

With a perfectly matched layer boundary treatment, a semivectorial finite-difference method is used to calculate the eigenmodes of a single-mode (SM) or multimode (MM) bent rib waveguide. A detailed analysis is given for the dependence of the bending losses (including the pure bending loss and the transition loss) on geometrical parameters of the bent rib waveguide such as the rib width, the rib height, and the bending radius. The characteristics of the higher-order modes are analyzed. It is shown that the bending loss of the fundamental mode can be reduced effectively by increasing the width and height of the rib. For an integrated device, undesired effects due to the higher-order modes of a MM bent waveguide can be removed by appropriate choice of the geometrical parameters. An appropriately designed MM bent waveguide is used to reduce effectively the bending loss of the fundamental mode, and a low-loss SM propagation in a MM bent waveguide is realized when the bending losses of the higher-order modes are large enough.     

隔膜电解法制备氯金酸及其机理探究

以金为阳极、石墨为阴极、饱和甘汞电极为参比电极、盐酸溶液为电解质,采用离子膜电解法制备了氯金酸。探究了制备过程中金的阳极行为以及实验条件氯离子浓度、pH、双氧水含量对制备过程的影响,并对反应机理进行了分析探究。结果表明：实验所得样品化学式为HAuCl₄.4H₂O,实验过程中基本上无金的损失,产率可达94%以上;电化学测试表明,金被电解为Au₃₊^发生在0.8-1.3V之间,致钝电压为1.3V;在pH为1.0的情况下最佳制备条件为电解电压1.25V,双氧水加入量5mmol,;在电解过程中减小电解液pH、增大电解液中氯离子浓度可以促进金的电解,此外峰电位随着pH的减小而降低;奈奎斯特图表明制备过程受电荷转移与扩散混合控制,随着溶液中Cl_-^{浓度的增大与双氧水的加入},扩散控制影响减弱由混合控制向电荷转移控制过渡。与传统工艺比较,隔膜电解法制备氯金酸具有无污染、易操作、安全性高、盐酸损失小等优点。关键词：氯金酸;电解法;金;盐酸中图分类号：TG146 文献标识码： A 文章编号：1003-5214 (2020) 01-0000-00     

Elimination of multimode effects in a silicon-on-insulator etched diffraction grating demultiplexer with bi-level taper structure

Multimode effects in the free propagation region (FPR) of an etched diffraction grating (EDG) demultiplexer based on silicon-on-insulator are analyzed. The insertion loss and the crosstalk increase due to these undesired multimode effects. A bi-level taper structure between the FPR and the input/output waveguides is proposed. It is shown that such a taper structure can reduce the multimode effects to an almost negligible level. At the same time, the 3-dB passband width is enlarged by increasing the rib width. No additional fabrication process is needed for an EDG with such a design.