排序方式: 共有25条查询结果,搜索用时 22 毫秒
1.
2.
通过改变溅射功率以磁控溅射法制备了Cu/Cr合金催化剂,研究了化学气相沉积法制备的碳纳米管(CNTs)作为大电流密度场发射阴极的场发射性能。采用扫描电镜和场发射测试仪分别对不同功率催化剂制备的CNTs进行了形貌及性能分析。结果表明,根据溅射功率与催化剂颗粒的关系,可以通过调节溅射功率改变CNTs的长径比及密度,在250WCu/Cr催化剂制备的CNTs薄膜具备了良好的场发射性能,阴极电子发射的开启电场仅为1.47V/μm,当电场为3.23V/μm,发射电流密度可高达3259μA/cm2。 相似文献
3.
近年来,在电致变色领域基于甲基紫精修饰高比表面积的纳米TiO2薄膜电极取得了巨大的进步,并将这项技术推向商业化.本文介绍了一种由有机变色分子修饰纳米晶TiO2薄膜电极而组装成的电致变色器件,通过"嫁接"在甲基紫精分子上的磷酸基和纳米TiO2薄膜电极表面的羟基化学吸附,我们得到了具有良好电致变色性能的"电子纸".本文采用的电解质是0.05mol/L的高氯酸锂和0.05mol/L的二茂铁的1,4丁内酯溶液,对电极为透明导电玻璃.实验证明该电致变色器件具有很高的稳定性,并达到了毫秒级的响应速度,在未来显示领域"电子纸"的商业化进程中具有很大的潜力. 相似文献
4.
碳源流量对碳纳米管厚膜形貌和结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用低压化学气相沉?积(LPCVD)在镍片上制备了厚度在400~1000μm范围的碳纳米管(CNTs)薄膜, 研究了碳源(乙炔)流量对碳纳米管薄膜形貌 和结构的影响. 随乙炔流量的增加, 碳纳米管薄膜厚度和产量增大. 电子显微镜和拉曼光谱研究结果表?明, 在乙炔流量为10sccm下制备的碳纳 米管直径分布范围最小(10~100nm), 石墨化程度最高, 缺陷密度最小, 晶形最完整. 随着乙炔流量的增大(30~90sccm), 碳纳米管的直径分布 范围增大(10~300nm), 石墨化程度降低, 缺陷密度增大, 非晶化程度增加. 因此, 通过碳源流量可以控制碳纳米管薄膜的形貌和结构. 相似文献
5.
采用低压CVD法制备得到的金属镍基碳纳米管薄膜直接作为电容去离子器(CDD)的电极材料,并对碳纳米管薄膜进行了扫描电镜观察和比表面与孔径分析,探讨了该电极材料的电容吸附性能。NaF溶液的吸附实验结果表明:该电极材料的去离子效果明显、且可再生和重复使用。 相似文献
6.
以二茂铁作为催化剂,H_2为还原气和载气,反应温度为650℃,压强15 kPa时,在一定的催化温度下,调节碳源中噻吩与环已烷的摩尔比,在减压化学气相沉积体系中制备了大量网状碳纳米管粉末。对反应过程中二茂铁的催化温度以及噻吩与环已烷的摩尔比对产物的影响进行了分析与研究,结果表明碳纳米管的产量随催化剂的量的增加而增大,其质量随催化温度的升高而下降;噻吩与环已烷的摩尔比对产物的形貌与质量有着一定的影响。用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱对碳纳米管进行了表征。 相似文献
7.
8.
采用磁控溅射方法制备了ZnO/Ag/ZnO、AZO/Ag/AZO三层和AZO/LiF/Ag/LiF/AZO、AZO/Al/Ag/Al/AZO五层透明导电薄膜,该体系薄膜450~700 nm的平均透过率在80%以上,方块电阻约5Ω/sq。插入LiF和Al的AZO/LiF/Ag/LiF/AZO和AZO/Al/Ag/Al/AZO导电薄膜在723 K退火后方块电阻分别为5.7Ω/sq和7.6Ω/sq,而AZO/Ag/AZO薄膜电阻快速上升到27Ω/sq。这表明五层结构的透明导电薄膜相比三层结构的导电薄膜明显的提高了热稳定性。可能原因是插入的LiF或Al层能抑制Ag原子的扩散和团聚。 相似文献
9.
Phase transformations in a GelSb2Te4 system induced by a single femtosecond laser exposure were investigated. The system has a multilayer structure of air/10 nm ZnS--SiO2/80 nm GelSb2Te4/80 nm ZnS-SiO2/0.6 mm polycarbonate substrate. The morphology and contrast of marks written in both amorphous and crystalline backgrounds by single femtosecond pulses were characterized using an optical microscope. X-ray diffraction (XRD) was applied to identify the crystal structures transformed by single 108 fs shots. The characteristics and the conditions of phase transitions in the multilayer structure triggered by single shots were investigated. The pulse energy window for the crystallization in the GeiSb2Te4 system was established. The mechanism of phase change triggered by 108 fs laser pulses was discussed. 相似文献
10.