对一起塔式起重机吊辅具坠落事故的技术分析

本文针对一起塔式起重机吊辅具坠落事故,对事故的有关情况进行了深入详细的调查,找出了事故发生的直接原因和主要原因。对使用单位和有关部门加强特种设备的监督管理具有重要的参考意义。     

艾利·丹尼森公司追加在华投资以扩大业务 不干胶标签印刷学院举行开学典礼

<正> 2000年2月22日,美国艾利·丹尼森公司在上海举行新闻发布会。会上,艾利·丹尼森公司总裁史嘉堡先生向来自世界各国的新闻界朋友宣布追加投资4000万美元,以扩大其在华业务。新的投资计划包括两年内在中国新建三家工厂、扩大昆山工厂的规模,并成立一个专业培训标签印刷商和转贴加工商的培训基地。 在过去的五年中,艾利公司不干胶业务在中国的销售额每年递增都超过35％,并由此确立了该公司     

在PLC实验教学中如何激发学生的兴趣

PLC技术是一门实践性很强的课程,实验、实训和课程设计等实践性环节在整个教学中占据了极其重要的位置,本文介绍了在PLC实验教学过程中,激发学生兴趣的一些教学方法和从中得到的一点体会。     

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的     

一起塔机事故的套架受力分析

通过一起塔机顶升状态下倒塔事故,结合生产厂家提供的图纸,对塔机的相关结构进行受分析,重点对套架的结构进行受力分析.     

制备过程中对VO2薄膜热致相变光电性能的控制

本文利用真空还原Ｖ２Ｏ５的方法制备出优质对ＶＯ２薄膜;研究了不同真空还原时间ＶＯ２薄膜热致相变过程中光电性能的影响;利用ＸＰＳ、ＸＲＤ对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高／低 电阻变化最大达到三个数量级,９００ｎｍ处的光学透过率在相变前后改变了４０％左右,热致相变性能优良。讨论了不同的真空还原时间下ＶＯ２薄膜热滞回线的宽度、相变温度点以及高低温光透射性能。最后给出了最佳真空还原时间。     

制备过程中对VO_2薄膜热致相变光电性能的控制

本文利用真空还原V2 O5的方法制备出优质对VO2 薄膜 ;研究了不同真空还原时间VO2 薄膜热致相变过程中光电性能的影响 ;利用XPS、XRD对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达到三个数量级 ,90 0nm处的光学透过率在相变前后改变了 40 %左右 ,热致相变性能优良。讨论了不同的真空还原时间下VO2 薄膜热滞回线的宽度、相变温度点以及高低温光透射性能。最后给出了最佳真空还原时间。