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针对X射线二极管平响应滤片的设计要求,采用电子束蒸发生长薄金层、紫外光曝光光刻、微电镀厚金层、体硅腐蚀制作镂空结构和等离子体刻蚀去掉PI等技术,成功制备了阵列结构的圆孔直径为5μm,周期为10.854μm,金层厚度分别为50,400nm的薄、厚两种金层滤片。电镀过程中采用台阶仪多次测量图形四周电镀厚度后取均值的方法得到尽可能准确的电镀厚金层。滤片交付实验后,在X光能量0.1~4keV取得的平响应曲线标准偏差与均值之比在13%以内,可以满足相关单位的具体物理研究实验要求。 相似文献
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GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造带来了许多问题。在本个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。 相似文献
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谢常青 《真空科学与技术学报》1995,(4)
从分子动力学的观点出发,引入了吸附因子.建立了热壁低压化学气相淀积多晶硅薄膜的膜厚模型,在此基础上进行了计算机模拟。模拟结果与R.S.Rosier的实验结果相似。该模型从分子动力学的角度阐明了多晶硅薄膜的生长过程。 相似文献
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