背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石墨烯条带(约10 000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735cm2/(V·s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。     

空心球节点加肋板的实验应力分析

网架结构中球节点的静力实验研究国内几家曾做过大量工作，提出经验计算公式，但对空心球加单肋板，对提高承载能力，降低应力水平的有关报导较少，本文重点研究了直径为５００ｍｍ壁厚为２０ｍｍ的加肋板与不加肋板两种球，在拉，压受力状态下的应力变化规律，同时对肋板上的应力变化进行了测试，利用电测应力分析的方法进行了实验研究与分析，实验模型，采用首都机场四机位工程所用球节点。     

新型压电晶体La_3Ga_5SiO_(14)的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6K-1、3.8×10-6K-1,在453.15K时测得晶体的比热为0.90J/g·K,并在200～800nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数。     

新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6 K-1、3.8×10-6 K-1,在453.15 K时测得晶体的比热为0.90 J/g*K,并在200～ 800 nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数.     

中压级断路器选择的探讨

着重介绍了现在我国使用量大面广的几种断路器的特点以及在选择中应考虑的问题。供大家在选型时参考。     

高性能无铅压电材料Ba（Ti0．8Zr0．2）O3-x-（Ba0．7Ca0．3）TiO3单晶和薄膜的制备

具有三相点准同型相界附近成分的Ba（Ti0．8Zr0．2）O3-x-（Ba0．7Ca0．3）TiO3无铅压电材料,具有优异的铁电、压电性能,作为一种具有潜在应用前景的无铅压电材料得到广泛关注。利用溶胶一凝胶法制备了该成分的薄膜以及尝试了利用浮区单晶炉的单晶生长工艺。利用XRD对薄膜和生长的晶体样品进行了物相鉴定;用AFM表征了薄膜的表面形貌;用TFAnalyz-er2000HS铁电测试系统测试了其电滞回线;还分析了气氛对晶体生长和紫外一可见透过光谱的影响。     

Ca3NbGa3Si2O14晶体光学和热学特性的研究

用提拉法成功地生长了一种具有La3Ga5SiO14(LGS)结构的Ca3NbGa3Si2O14(CNGS)单晶;用X-射线粉末衍射证明了其具有单一相且同LGS同构的单晶结构;DSC实验表明CNGS单晶的熔点为1349.9°C。在293.15～403.15K间测得垂直于z方向的热膨胀系数为1.7×10-6/K,而在283.15和433.15K的温度范围内z方向的热膨胀几乎不变。在300.42K测得晶体的比热为0.763J/mol·K;并在190～3200nm间测其透过谱。     

三维石墨烯的水热法制备及其吸附性能研究

系统研究了一种在水热条件下制备三维石墨烯的新方法,建立了最佳的稳定制备工艺。该方法不需要添加化学交联剂,简单、可控性高。经X射线衍射、扫描电镜、视频接触角测量仪,拉曼光谱检测分析表明,制备的三维石墨烯样品具有密度低、孔隙率、机械强度及吸附率高的特点,与其它方法相比,此制备工艺具有较好的稳定性和重复性。制备的三维石墨烯有望应用在超级电容器、储氢材料、催化剂和环境保护等方面。     

气相传输法制备大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带

低维Bi₂Se₃纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料, 在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi₂Se₃纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi₂Se₃纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明: 气相传输法合成的单晶Bi₂Se₃纳米片、纳米带相纯度高, 结晶性能好, 均是{001}取向; Bi₂Se₃纳米片水平尺寸大, 约为15~180 μm; Bi₂Se₃纳米带长度达860 μm, 宽度约5 μm。根据不同温度下制备的Bi₂Se₃纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异, 分析了其可能的生长机制: 在较高温度下沿<001>和方向生长速度快, 生成大尺寸单晶Bi₂Se₃纳米片; 在较低温度下, 沿方向生长速度快, 生成大尺寸单晶Bi₂Se₃纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi₂Se₃纳米材料的制备工艺, 有望在微电子器件领域得到商业化应用。     

干涉法研究硅酸镓镧单晶的基本性质

用全息干涉法研究了新型压电材料硅酸镓镧的折射率均匀性,利用干涉透过率谱法研究了双折射率.并通过测量透过率,计算了吸收系数.确定了吸收系数与光子能量的变化关系.