中频磁控反应溅射制备c轴择优取向AlN薄膜

通过中频磁控反应溅射,在Si(100)衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征.实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜.结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长.在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,(002)摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2(high)声子峰的FWHM为13.8cm-1.     

220 kV变电站母差保护动作的事故分析

介绍了某220 kV变电站发生的一起35 kV母差保护动作的事故案例,通过现场检查情况分析出保护动作的原因,对继电保护动作的过程和事故录波报告进行了详细的分析。最后提出了针对性的处理办法和整改措施,旨在更好地完善变电站设备的运行和维护。     

Aluminum Nitride Thin Films on Molybdenum/Polyimide Heterostructure for Bulk Acoustic Resonators

用正电子寿命谱测量方法研究了5种不同化学成分的近等原子比NiTi合金中的微观缺陷和自由电子密度.结果表明,当Ni原子和Ti原子形成NiTi合金时部分3d电子被局域化而形成共价键,导致合金中参与形成金属键的自由电子减少.近等原子比的NiTi合金中的基体和缺陷处的自由电子浓度均随Ni含量的增加而改变,并且当Ni含量为51 at％时达到最大值.研究还发现Ni51Ti49合金含有最少的缺陷,从而有助于马氏体相变的发生,这可能成为Ni51Ti49合金具有最好的形状记忆效应的一个原因.     

一起110kV变电站主变动作的原因分析

文章对某110 kV变电站变压器差动保护动作原因进行了详细的分析,经过对主变进行相关试验、油化验检查,以及开关柜一一排查后,分析了在相间接地故障情况下,主变差动保护正确动作。最后提出了改进措施,旨在更好地完善变压器保护的运行和维护。