现代导弹导引头发展综述

介绍了导弹导引头的功能及组成,综述了现代导弹导引头的发展与现状,通过举例说明了当代国外一些典型先进导引头的主要战技指标,最后评述了导弹导引头的发展趋势。     

类 p-i-n 结构 n~ (μc-Si : H)/p(poly-Si)/p~ (poly-Si)薄膜太阳电池的热平衡态特性数值分析

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法，数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡态ｎ＋（μｃ－Ｓｉ∶Ｈ）／ｐ（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）／ｐ＋（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜太阳电池进行计算机数值模拟。说明类ｐ－ｉ－ｎ结构设计使电池获得了较高的短路电流ＪＳＣ，而中间层ｐ（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）的掺杂有利于提高电池的短波量子效率特性，还讨论了ｎ＋（μｃ－Ｓｉ∶Ｈ）和ｐ＋（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）等层厚度对光生载流子收集的影响。     

类p—i—n结构n^＋（μc—Si：H）／p（poly—Si）p^＋（poly—Si）薄膜太阳电池的热平衡

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法，数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡态ｎ＾－（μｃ－Ｓｉ：Ｈ）／ｐ（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）ｐ＾＋（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜太阳电池进行计算机数值模拟。     

n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究

本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J－V特性实验测量的初步结果－经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO／Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p-Si异质结性能。     

n—CdS／p—CulnSe2异质结二极管电流传输机制的研究—计算机模拟分析

应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解电子、空穴连续性方程和泊松方程，对ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结的伏安特性进行计算机数值模拟。基于材料、器件参数的实验数据，我们的计算结果支持了ＣｕＩｎＳｅ２中的Ｓｈｏｃｋｌｅｙ＝Ｒｅａｄ空间电荷复合是控制ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结二极管正向电流主导的物理机制，进一步说明在提高ＣＩＳ太阳电池性能的努力中开展ＣｕＩｎＳｅ２化学缺陷研究的重要性。     

n-CdTe Schottky势垒薄膜太阳能电池中嵌入p型层对其势垒高度影响的计算机模拟

通过求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡态金属：ｐ－ｎ－ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。嵌入的ｐ型层增大传统金属：ｎ－ＣｄＴｅ结的有效Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒高度与ｐ型层厚度、掺杂浓度以及ｎ－ＣｄＴｅ本底电阻率有依赖关系。最后讨论嵌入ｐ型层增强ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ势垒太阳能电池对光生载流子的收集作用。     

关于晶体管发射极电流集边效应理论的研究

介绍了晶体管基区电位微分方程解析解的研究结果，与方程近似解相比，它能定理地阐释发射极电流集边效应及相关参量，也为功率晶体管有关教学提供更确切的理论依据。     

a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-SiC/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟,详细分析不同制备条件下a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布,指出采用更薄p+(a-SiC∶H)薄膜和在pn异质结嵌入i(a-Si∶H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集,从而提高a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的性能,而高强度光照射下模拟计算表明,a-SiC/c-Si异质结太阳能电池具有较高光稳定性.     

氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应：PIN型非晶硅太阳能电池稳…

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，载流子俘获效应所造成的ａ－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生改变和准中性区的出现，使电池性能因光的长期辐照而衰退。本文还讨论了ａ－Ｓｉ：Ｈ中载流子俘获效应的研究在高稳定性ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池研制中的重要性。     

a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的空间电荷效应和稳定性分析

基于pin结构的a-Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,在光照射下,光生空穴俘获造成了a-Si∶H中正空间电荷密度的增加,从而改变了电池内部的电场分布,提高了a-Si∶H薄膜中的电场强度.空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场"死层"),也没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退,因而a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的稳定性.