MeV重离子轰击引起金属膜抗蚀性的研究

对以Ｎ型硅为基底的 Ｃｕ、Ｓｎ和 Ａｕ膜用能量 ２．０～４．５ＭｅＶ的 Ｃｌ＋＋离子进行了 轰击。酸液浸泡实验表明，当 ＣＩ＋＋离子注入剂量达到 ５×１０１５／ｃｍ２时，轰击区薄膜耐酸腐蚀能力发生突变。对这种突变的原因给出了一种初步的、定性的解释。     

质子轰击Gd、Eu和Nd引起的L亚壳层电离

用0.4—2.75MeV质子轰击稀土元素Gd、Eu和Nd靶,测得L亚壳层的X射线产生截面。利用亚壳层的荧光产额和Coster-Kronig跃迁几率的半经验值,求得2S_(1,2)、2P_(1/2)和2P_(3/2)三个亚壳层的电离截面。实验测得的电离截面以及它们的比值与ECPSSR理论预言值进行了比较。     

冠醚分离锂同位素研究——Ⅰ.锂盐-穴醚两相交换体系的锂同位素效应

本文重复验证了杰普森报告的主要结果,用穴醚(2,2,1)萃取三氟乙酸锂得到的单级分离因数为1.037±0.004。证实该体系确有相当高的锂同位素效应。但用穴醚(2,2,1)萃取酸性三氟乙酸锂时,未观察到分离因数和分配系数有明显变化。对不同空穴尺寸的穴醚(2,2,1)、(2,1,1)、(2,2,2)的化学交换体系进行了对比测试,结果发现这些体系的同位素分离因数按六醚(2,2,1)>(2,1,1)>(2,2,2)的顺序排列。还对用穴醚的两相交换体系中的有机溶剂和阴离子进行了初步的试验和选择。     

使用胶体石墨技术测定铀同位素丰度比

本文介绍了胶体石墨和铀样品的装载技术,在[UO_2(NO_3)_2·C·Ta]体系内,带的碳化处理及铀离子的获得同时完成。本方法不仅提高了热电离效率,改善了离子流的稳定性,而且有效地避免了铀样品的早期蒸发。     

快重离子束诱发金属薄膜在基底上的附着增强效应

用 ＭｅＶ能量的 Ｃｌ离子束辐照金属薄膜／绝缘体和硅基底。测量到薄膜在基底上附着增强的阈值剂量，在铜／硅体系中观测到低剂量和高剂量阈值。     

快重离子束引起的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应

对沉积在N型半导体硅上的Cu薄膜用几MeV的Cl离子进行了不同剂量的辐照实验以观测其增强附着行为。结果表明,Cu-Si膜系存在两种不同类型的增强附着效应。用扫描电镜对低剂量轰击出现附着增强区域的硅基底表面进行观察,未发现任何微裂现象。这与人们在解释Au-SiO_2膜系出现类似增强附着时提出的微裂观点不相符合。     

冠醚分离锂同位素研究——Ⅱ.锂盐-冠醚两相交换体系的锂同位素效应

本文报道了我们用冠醚萃取分离锂同位素的研究工作的一部分,共用八种不同类型的冠醚。它们是15—冠—5及其衍生物共三种、饱和的八甲基四氧Ouaterene固状物和油状物两种及开链冠醚三种。实验测定的数据包括锂同位素交换反应速度、同位素分离因数及锂在两相中的分配比。测得各体系的锂同位素分离因数在1.012—1.030之间,其中最高分离因数是环已基—15—冠—5的体系,达到1.030±0.005。测得该体系的同位素交换反应速度是快的,锂同位素交换达到平衡的时间小于10s。本文对实验结果的分析和讨论着重于冠醚结构对同位素分离因数及锂在两相中的分配的影响,它包括冠醚空穴的大小、冠醚的类型及冠醚所带有的边环及边环上的取代基的影响。     

离子交换排代法测定同位素富集系数

本文根据逆流萃取模型推导出用排代法测定富集系放的计算式。并以锂同位素为对象,用对照实验证明排代法是测定同位素富集系数的一种方法。在国产高交联度树脂上研究了温度和排代剂浓度对富集系数的影响。实验表明:富集系数随温度升高和排代剂浓度增加而降低。求得高交联度树脂-醋酸锂体系的同位素交换热为-5.03卡/摩。