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1.
在一致熔化的熔料里,用提拉法生长了 LiNbO_3∶TR(TR=Nd、Er、Er+Mg、Ho、Sm、Eu)单晶。测量了它们的吸收光谱和荧光光谱。  相似文献   
2.
采用熔体提拉法生长了不同掺杂浓度的Ti:Fe:LiNbO3晶体.研究了掺杂杂质离子浓度变化对晶体光折变性能的影响,测定了晶体经热化学还原处理前后的透射谱.用ESR方法证实,未经还原处理时,Ti:Fe:LiNbO3晶体中Ti离子以Ti4 形式存在.与Fe:LiNbO3和Ti:LiNbOa相比,Ti、Fe复合掺杂,通过电荷补偿效应,使未经还原处理的晶体中Fe2 增加,从而使光吸收增强;可以通过改变Ti、Fe掺杂浓度的方法来控制晶体中Fe2 离子的浓度,达到控制并改善晶体光折变性能的目的.本文还对Ti:Fe:LiNbO3晶体的全息性能进行了研究,测得Ti:Fe:LiNbO3晶体响应时间缩短,衍射效率高达90%以上.Ti:Fe:LiNbO3晶体是一种优质的光折变材料.  相似文献   
3.
本文综述了 Si C 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Si C 单晶的 P V T 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 P V T 法制备的 Si C单晶中所存在的缺陷及其成因  相似文献   
4.
以熔体提拉法生长了Nd:Zn:LiNbO3晶体,研究了最佳生长条件.对晶体的光学均匀性参数一双折射梯度及消光比做了测试.研究了晶体的光致双折射变化及其红外透射谱,证明它有很好的抗光伤性能.  相似文献   
5.
LiNbO_3 晶体具有大的电光系数,并具有一定浓度的陷阱,其中一部分陷阱是空的,另一部分陷阱充满电子,当适当波长的激光照射晶体时,电子从陷阱被激发到导带上,引起自由载流子的浓度不均匀,由于光伏特效应,产生电子的迁移,随后在弱光照射区被空陷阱所捕获,移动的电荷产生空间电场,通过电光效应引起折射率变化,也就是通常所称的晶体  相似文献   
6.
本文综述了 Si C 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Si C 单晶的 P V T 法制备和该过程中的关键要素, 分析了 P V T 法制备的 Si C单晶中所存在的缺陷及其成因  相似文献   
7.
采用熔体提拉法生长了不同掺杂浓度的Ti:Fe:LiNbO3晶体.研究了掺杂杂质离子浓度变化对晶体光折变性能的影响,测定了晶体经热化学还原处理前后的透射谱.用ESR方法证实,未经还原处理时,Ti:Fe:LiNbO3晶体中Ti离子以Ti4+形式存在.与Fe:LiNbO3和Ti:LiNbO3相比,Ti、Fe复合掺杂,通过电荷补偿效应,使未经还原处理的晶体中Fe2+增加,从而使光吸收增强;可以通过改变Ti、Fe掺杂浓度的方法来控制晶体中Fe2+离子的浓度,达到控制并改善晶体光折变性能的目的.本文还对Ti:Fe:LiNbO3晶体的全息性能进行了研究,测得Ti:Fe:LiNbO3晶体响应时间缩短,衍射效率高达90%以上.Ti:Fe:LiNbO3晶体是一种优质的光折变材料.  相似文献   
8.
用提拉法在化学计量的熔料里生长了掺钕的Pb_(5-2x)Nd_xK_xGe_3O_(11)(x=0.025)和掺饵的Pb_((1-3x)/2)5)Er_(5x)_Ge_3O_(11)(x=0.005)单晶,测定了晶体的吸收光谱和荧光光谱。  相似文献   
9.
采用提拉法、电阻炉加热铂坩埚,a 轴取向生长纯的 Bi_(12)SiO_(20)和 Bi_(12)SiO_(20)∶0.05wt·%MnO_2,0.02wt·%Cr_2O_3(BSO∶Mn,Cr)晶体。电子顺磁共振谱指出:光照后激活心电荷态各自为 Mn~(5+)和 Cr~(4+);其 g 因子大小分别为2.0009和1.9616。光照前 BSO∶Mn 在410~750nm 有吸收带,并和吸收边重叠,它相应于 Mn~(5+)离子 ~3A_2→~3T_2,~3T_1跃迁,Mn~(5+)和 Mn~(4+)同时在晶体里存在。光照后,Mn~(5+)离子吸收增加。另外,BSO∶Cr 光色效应可通过 Cr~(5+)→Cr~(4+)电荷传输过程来解释。纯 BSO 晶体粉末有一个 g=2.0109峰宽为75G 的 ESR 带,这带被归为本征捕获空穴心。  相似文献   
10.
用Fe:LiNbO_3的实时散斑错位干涉仪   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道一种实时散斑错位干涉仪的实验室装置。采用Fe:LiNbO_3晶体作散斑照相的记录介质。晶体掺Fe量为0.1%摩尔,对λ=488nm波长的透过率<5%。进行散斑照相的同时在Fe:LiNbO_3晶体上形成象全息图。用此装置可以实时地测量物体的形变以及进行实时无损检验。  相似文献   
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