Michelson干涉型光纤弱磁场传感器信号检测电路研究

针对Michelson光纤弱磁场传感器的特点,设计和实现了控制和信号检测系统。着重对传感器信号检测部分的电路进行了分析和研究,采用了相位自跟踪锁定放大技术进行微弱信号检测;针对磁致伸缩材料的非线性响应特点,设计了定偏闭环反馈系统,使探头始终工作在最佳偏置磁场下。经实验验证,系统灵敏度高,抑制噪声能力强。     

基于标准光纤的全站仪测距室内检定

本文提出了一种把光纤引入室内,代替野外基线来检定全站仪测距的方法.此方法通过光电转换提取全站仪测距光中的调制电信号,经外加调制器调制到外加激光上,并经过光纤传输返回到全站仪接收管,从而实现全站仪对光纤的测距.对提出的方法进行了实验验证,结果表明:此方法可实现用光纤在室内检定代替野外基线来检定全站仪测距,同时克服了大孔径...     

光纤弱磁场传感器闭环反馈电路稳定性研究

Michelson干涉型光纤磁场传感器具有极高的灵敏度,因此相应的驱动、控制与检测电路必须具有高度稳定性.采用闭环反馈电路,可使系统从环境大噪声中提取出微弱的信号.研究并设计的闭环反馈电路系统具有非常好的稳定性,能探测到nT量级的微弱磁场,在1 Hz时整个系统只有10 μV/ Hz的低噪声特性.     

高精度快速可控光纤真延迟线实验研究

在相控阵雷达中使用光纤实时延迟技术,可实现大角度瞬时宽带扫描.利用半导体光放大器和法拉第旋转镜实现了快速切换的延迟线,此技术具有切换速度快,延迟精度高,输出功率恒定,偏振不相关等优点.实验结果表明,此结构能够实现1 ps的延时精度,误差不超过0.1 ps.     

宽带多模干涉型光耦合器的设计

文章通过分析制约多模干涉型耦合器带宽的因素,提出三种可提高MMI带宽的设计方法。仿真结果表明,三种方法均可以不同程度地提高MMI的工作波长范围,对比于常规MMI耦合器的60nm工作波长范围,采用优化设计方法可将其带宽提高到140nm至210nm。当同时采用三种设计方法后,带宽可以达到300nm,是原结构带宽的5倍。     

基于湿簧继电器的外加电信号对激光光波控制的新方案

设计了一种利用湿簧继电器和外加信号源对光波控制的新方案,可以通过信号源控制激光光波输出的波形,波形周期等参数,提出了一种湿簧继电器的新的应用。实现了一种利用交流信号源对光路进行控制的新方法,并且具有驱动电压较低,稳定性较高,普遍适用等优点。     

基于JIT协议的OBS核心处理模块的设计与实现

设计并实现了一个基于JIT协议的OBS核心处理模块.该处理模块以FPGA为平台,用硬件描述语言Verilog实现,共包括四个子模块:帧解析模块、交叉矩阵、调度器和帧生成模块.经过实际测试,该处理模块的实际处理时间在100M的时钟下仅为400ns,有效地提高了OBS核心节点的处理速度.     

基于FPGA的OBS多网卡接口平台的设计与实现

给出了一套基于FPGA的OBS多网卡接口平台的解决方案.该方案采用基于NiosII片上处理器的FPGA开发板作为硬件平台,扩展其I0接口,实现了多个以太网卡.该方案将物理层和MAC层构建在SOPC架构中,硬件层提供多网卡接口,软件层驱动采用采用uC/OSII和LwIP网络协议栈的开发环境.具有设计灵活、可重构、开发成本低、周期短的优势.     

基于Fabry-Perot结构的可调波长选择光开关

本文提出波长选择光开关的概念,首次研制出一个基于Fabry-Perot结构的可调波长选择光开关,该开关为2×2光纤端口,每个端口携带N个波长,工作时可以选1个或多个波长,插入损耗小于3dB,波长调谐范围10nm,调谐机构为一对多层三明治结构的压电陶瓷,具有驱动电压低,小于5V的驱动电压可以达到3.3nm的调谐,最大开关时间为1毫秒,开关比优于30dB.最后还分析了其基本透射与反射光谱性能,并讨论其对光通信、光交换网络产生的重要应用价值.     

基于掺杂型不饱和聚酯的可调谐F-P腔的研究

将分散红 1(DR1)掺杂的不饱和聚酯(UP)树脂充入F- P腔中,在极化的同时进行热交联,制得了具有一定电光效应的非线性光学不饱和聚酯。研究了温度、引发剂和分散红 1 的含量对不饱和聚酯凝胶和固化时间的影响。随着分散红 DR1 含量的增加,体系的凝胶时间减少,固化时间增加,当 DR1 量>5%时,凝胶时间很短而固化时间却很长,已不适宜进行极化。随着树脂中过氧化苯甲酰(BPO)加入量的增加或温度的升高,体系的凝胶和固化时间缩短。将其制成器件后,发现其电光系数衰减性能与文献报道的掺杂型光交联不饱和聚酯和某些柔性主链的侧链型 NLO聚合物相当,而比PMMA/DR1掺杂体系的衰减小得多,其光损耗基本能满足器件化的需要,而其器件制作工艺性能大大改进,明显优于传统的旋涂法。极化后整个F- P腔的光损耗为 5dB,电光系数 r33 为 9pm/V,最大衰减量为 52%。此类材料和极化方法适合于制作可调谐F- P腔型光开关。