Ti-B4C反应机理和扩散路径的研究

利用差热分析和ＸＲＤ分析确定了Ｔｉ与Ｂ４Ｃ发生化学反应的温度和１６００℃保温０．５ｈ后的物相组成,通过Ｔｉ－Ｂ４Ｃ扩散偶对反应机理进行了研究,实验结构表明在反应过程中扩散路径是：Ｔｉ／ＴｉＣ／ＴｉＢ／Ｂ４Ｃ,在扩散偶中Ｔｉ与Ｂ４Ｃ作为反应相始终存在,生成物中ＴｉＢ２,ＴｉＢ和ＴｉＣ三相同时存在,而对于粉料烧结后只有ＴｉＢ２和ＴｉＣ两相。     

尖晶石型LiMn2O4陶瓷的制备及其电导率

为研究尖晶石型LiMn2O4正极材料的导电性能,用无压、热压和等离子放电烧结的方法制备出了LiMn2O4陶瓷块体,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和交流阻抗谱研究了产物的物相、显微结构和电导率。结果发现,在高温或低氧浓度的烧结条件下LiMn2O4发生脱氧,分解生成LiMnO2和Mn3O4。通过埋粉工艺可以有效地抑制脱氧,提高LiMn2O4的烧结温度。等离子放电烧结可使坯体迅速达到致密,抑制晶格脱氧和晶粒长大。尖晶石型LiMn2O4的电导率由晶界电导控制,晶粒大小对电导率的影响很大。     

TiH2-TiB2反应烧结研究

采用ＴｉＨ２和ＴｉＢ２反应烧结原位合成了Ｔｉ与Ｂ的过渡相ＴｉＢ。随着ＴｉＢ２含量的适当增加,ＴｉＢ２逐步转化为ＴｉＢ,同时试样的气孔率增大,密度减小,导电率下降;当ＴｉＨ２：ＴｉＢ２达到２：１时,ＴｉＢ２全部转化为ＴｉＢ,密度回升,导电率提高。过渡相ＴｉＢ在ＴｉＢ２中呈层状结构。     

原位合成TiB2-TiC陶瓷基复合材料

分析了TiB2-TiC陶瓷基复合材料的原位生成机理,利用普通的热压烧结设备,以TiH2-B4C为原料原位合成了高性能的TiB-TiC陶瓷基复合材料。TEM和X射线衍射的研究结果表明：原位合成的复合材料中的TiB2为长柱状的显微形貌,从而提高了材料的断裂韧性。     

反应热压法制备TiB2／AlN复合陶瓷

本文报道了以ＴｉＮ,Ａｌ和ＢＮ为原料通过反应热压法制备ＴｉＢ２／ＡｌＮ复合陶瓷实验结果,对该反应的热力学过程,产物的物相,微观结构与形貌进行了研究与讨论,结果表明,原料在８００℃左右开始反应,随着温度的升高反应越完全,１７００℃左右完全反应,通过ＳＥＭ观察发现,生成的ＴｉＢ２／ＡｌＮ复合陶瓷具有很高的致密度,晶粒尺寸细小且分布均匀,通过反应得到的ＡｌＮ晶粒具有大量的层状和孪晶结构。     

氧化锆-正铌酸镧复合陶瓷的力学性能

采用常压和热压烧结制备了掺入不同含量正铌酸镧 (LaNbO4)的四方ZrO2 基复合陶瓷。X 射线衍射分析表明经高温烧结后复合陶瓷中LaNbO4相保持稳定。测定了热压烧结条件下所制得的ZrO2 LaNbO4复合陶瓷的力学性能。结果表明 :LaNbO4的加入使材料的断裂韧性均较单一组份的ZrO2 或LaNbO4陶瓷有明显提高。对烧结LaNbO4多晶体进行了透射电镜分析 ,证实其晶粒内部普遍存在畴结构 ;对断口进行了扫描电镜分析 ,并对LaNbO4的作用机理进行了讨论     

氧化锆—正铌酸镧复合材料的力学性能

采用常压和热压烧结制备了掺入不同含量正铌酸镧（LaNbO4）的四方ZrO2基复合陶瓷。X-射线衍射分析表明经高温烧结后复合陶瓷中LaNbO4相保持稳定。测定了热压烧结条件下所制得的ZrO2-LaNbO4复合陶瓷的力学性能。结果表明：LaNbO4的加入使材料的断裂韧性均较单一组份的ZrO2或LaNbO4陶瓷有明显提高。对烧结LaNbO4多晶体进行了透射电镜分析，证实其晶粒内部普遍存在畴结构；对断口进行了扫描电镜分析，并对LaNbO4的作用机理进行了讨论。     

Ce-TZP材料形状记忆效应的研究

本文对相变增韧氧化锆陶瓷Ce-TZP材料的形状记忆效应进行了研究。研究结果表明:在张应力作用下,含有10mol％CeO_2的Ce-TZP陶瓷具有形状记忆效应。材料的形状记忆效应,由材料内稳定剂的含量及材料的显微结构所决定。记忆量与材料的变形量和环境的温度有关。本文还在理论上对产生形状记忆的条件及其机理作了初步分析和探讨。     

Mg~(2+)掺杂LiFePO_4/C的结构及电化学性能

用固相法合成了LiFePO4/C、LiFe0.95Mg0.05PO4/C和LiFe0.9Mg0.1PO4/C.Mg2+的掺杂可提高放电比容量和循环性能,LiFe0.95Mg0.05PO4/C的0.2 C首次放电比容量为155 mAh/g;LiFe0.9Mg0.1PO4/C以10.0 C循环20次,放电容量几乎无衰减.     

带材卷取机控制方式讨论

本文分析了为了保持带材卷取张力恒定而采取的两种间接张力控制方式：比例控制方式和最大力矩控制方式。