排序方式: 共有27条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
硅酸铋(Bi12SiO20)晶体生长的研究进展 总被引:7,自引:2,他引:5
本文介绍了光折变晶体BSO生长研究的国内外进展。对BSO晶体生长方法、组分和结构缺陷表征、材料性能的改进等几个方面进行了综合评述。讨论了各种生长方法的优缺点以及阻碍BSO晶体批量生产的几种因素。指出坩埚下降法在实现大尺寸优质BSO晶体的批量生产方面已显示出优越性,它应该成为今后BSO晶体生长研究的一个重要发展方向。 相似文献
3.
锗酸盐晶体是一类重要的功能晶体材料。其中,Bi4Ge3O12(BGO)是一种优良的闪烁晶体,广泛应用于高能物理、地质勘察和医疗成像等领域;Sr2Ga2Ge4O14(SGG)是重要的压电晶体,作为基片材料可以制作高性能的声表面波(SAW)器件,在移动通讯、高温探测等方面有良好的应用前景;Pb5Ge3O11(PGO)晶体具有小的介点常数和比较大的热释电系数,被认为是优秀的热释电探测器材料,而其旋光性则可应用于信息存储和信号处理等过程;Sr3Ga2Ge4O14(Nd:SGG)晶体是高峰值、短脉冲和高频率固态激光器用潜在的激光晶体材料;Bi12GeO20(BGI)是一种有前途的多功能晶体材料,在光折变、电光、压电等方面都有着重要的应用;Bi4GexSi1-xO12混晶的生长有望获得成本低、性能好的无机闪烁晶体。作者采用改进型坩埚下降法生长技术成功生长了闪烁晶体BGO、铁电晶体PG0、压电晶体SGG、光折变晶体BGO、激光晶体Nd:SGG、闪烁体BGSO混晶等多种锗酸盐功能晶体。 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
熔体组成与PbWO4:Y3+晶体闪烁性能稳定性的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y3+离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则. 相似文献
9.
在用Bridgmam法生长BGO大晶体过程中,曾几次发现在晶体顶部冷却料表面或坩埚顶端的壁上有很薄的一些片状物存在,它是无色,透明的晶片,但却与BGO晶体不同。为阐明它对BGO晶体生长过程的影响,对这些片状物进行了分析研究。 相似文献
10.
本文着重研究了钼酸铅晶体中包裹体的组态和散射特征。实验结果指出:在钼酸铅晶体中的包裹体主要由气泡和片状包裹体组成。通过光学显微术、X射线和电子探针等分析,定性地认为片状包裹体是由另一种晶相——Pb_2MoO_5组成。对一批正交试验法生长的钼酸铅晶体的光学测试以及对包裹体的分布密度和散射率的测量结果表明:包裹体是影响钼酸铅晶体光学质量和器件性能的主要因素,并指出了钼酸铅晶体的光学质量与生长工艺参数之间的密切关系。 最后,从钼酸铅晶体生长中的原料组分配比和工艺参数的分析中,初步探讨了包裹体的成因。 相似文献