Nd掺杂对钛酸钡电磁及微波吸收特性影响研究

采用溶胶-凝胶法制备稀土Nd掺杂钛酸钡纳米粉体.采用X射线衍射(XRD)、矢量网络分析仪等手段分别分析表征了样品的微结构和高频电磁特性.结果表明,Nd离子掺杂的钛酸钡样品在750℃温度下退火1h,结晶良好.随着Nd掺杂量的提高,晶粒细化.Nd离子掺杂后,在高频下钛酸钡纳米粉体的介电常数的实部略有减小,虚部峰值得到提高,...     

热压烧结法制备新型NiTi-Si电极材料的结构演化和性能分析

通过选择不同烧结工艺,探索了热压烧结法制备NiTi-Si复合电极材料的结构演化及其对电性能的影响。结果表明,烧结过程的压缩率随热压烧结温度的升高而演化,可分为三个阶段:第一阶段未产生压缩变形,第二阶段由于Si的软化开始产生压缩变形,第三阶段NiTi也开始软化,压缩率显著增加。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析每个阶段的相组成及微观结构,结果表明,热压烧结样品组成主要是Ni4Ti4Si7三元金属间化合物及部分Ni3Ti3O、NiTi与Si,复合物致密度也随着烧结温度的提高而改善。选取一组具代表性的NiTi-Si复合材料作为电极制备成纽扣电池,充放电曲线结果表明,电池在循环初期出现明显比容量衰减,但电池循环次数明显高于传统集电体Si电极材料。分析认为,Ni4Ti4Si7三元金属间化合物中的Si不参与电化学反应,但是该化合物有助于弛豫充放电过程中电极体积变化导致的应变。     

20MnTiB钢与调质45钢焊接工艺

本文通过理论分析与试验结合的方法,对调质45钢与20MnTiB钢异种钢接头的焊接工艺进行了研究.分析表明:2种材料的碳当量都大于0.4％,钢材淬硬性和冷裂倾向较大,20MnTiB钢的HAZ区域极易因焊接热输入大而软化.要确保焊接质量,必须采取合理的焊前预热、道间保温、焊后热处理以及控制热输入等工艺措施.试验结果表明,本文拟定的工艺方案完全达到了设计要求,并已投入焊接生产.     

添加Zr的60NiTi合金的热处理工艺优化

60NiTi合金具有高硬度、低密度和耐磨等优异的性能，在航空航天领域有广泛的应用前景。为了进一步提高60NiTi合金的力学性能，研究了Zr的添加及热处理工艺对60NiTi合金组织与硬度的影响。结果表明：Zr的添加提高了60NiTi合金的硬度并使其组织更加均匀。此外，在炉冷、空冷、油冷和水冷4种不同的冷却方式中，炉冷60NiTiZr合金中存在大量粗大的析出相，硬度也最低。冷却速度最快的水冷处理的60NiTiZr合金的硬度最高，且能够避免粗大析出相形成，但存在残余应力较大的问题。对水冷60NiTiZr合金在300～600℃温度范围进行时效处理，发现随时效温度的升高，合金的硬度先升高后降低，且在500℃时效时硬度达到最高。进一步对水冷60NiTiZr合金在500℃进行不同时间的时效处理，发现时效2 h后合金硬度达到峰值(61.7 HRC),时效后期还出现缓慢的二次硬化现象。     

掺W对染料敏化TiO2电极光电性质的研究

用双靶直流磁控共溅射方法在FTO透明导电玻璃上沉积掺W的TiO2薄膜.采用原子力显微镜、喇曼光谱仪和透射光谱仪对其表面形貌、晶体结构及光学性能进行了分析.研究发现适量的掺w有利于改善TiO2薄膜的表面结构,并有利于提高染料敏化电池的短路电流;但过量的掺w减弱了锐钛矿相,TiO2薄膜转变为金红石相结构;适量W掺杂TiO2薄膜经敏化组装的太阳能电池,有利于提高其短路电流及光电能量转换效率,不利于提高其开路电压.     

冷却方式与时效温度对60NiTi合金硬度和组织的影响

系统研究了冷却方式、时效温度对60NiTi合金硬度和组织的影响,结果表明：相比于退火处理试样,正火或淬火处理能显著提高合金的硬度;正火试样300℃时效处理能进一步提高合金硬度,而400,500,600℃时效处理使合金硬度降低,其中600℃时效处理合金硬度下降最显著;通过正火+300℃时效处理后合金的硬度由铸态试样的31 HRC提高到60 HRC。金相与X射线衍射（XRD）结果表明,正火和淬火处理后的60NiTi合金晶粒中没有粗大针状析出相形成。获得均匀细小的组织并避免Ni₄Ti₃相在冷却及时效过程中粗化并转变成Ni₃Ti相是得到高硬度60NiTi合金的关键。     

高温形状记忆合金的研究进展

介绍了高温形状记忆合金马氏体转变温度的影响因素及其在使用过程中对性能的要求,并综述了钛镍钯/铂、镍钛锆/铪、镍锰镓等几种主要高温形状记忆合金的研究进展,最后对今后的研究方向进行了展望。     

PVDF薄膜晶相生长及荧光检测研究

用旋转涂覆法制备了PVDF薄膜,研究衬底对α相形成的影响,进而改变退火温度研究α相向β相的转变.采用XRD、红外光谱及荧光光谱对薄膜进行表征.研究发现,采用载玻片作为衬底时,薄膜为非晶态,衬底为掺氟氧化锡和单晶硅时,薄膜获得了较好的α相结晶.随着退火时间的延长,薄膜中的晶粒尺寸增加.随着退火温度的升高,薄膜中α相向β和γ两个极性晶相发生转变.分析表明,聚合物与衬底表面原子基团之间的氢键作用不利于薄膜的晶化,而极性相的存在使铜酞菁分子荧光发射峰红移.     

封装热处理对Ti_50Ni_30Cu_20形状记忆合金弛豫内耗行为的影响

通过对Ti50Ni30Cu20形状记忆合金经不同热处理之后的内耗行为表征,获得了弛豫型内耗峰(高阻尼性能的体现)产生及其稳定性的工艺条件及参数。实验结果表明,封装固溶处理有利于产生明显的内耗弛豫现象,从而使Ti50Ni30Cu20合金在220~260 K获得内耗值约0.1的阻尼性能;当合金在空气中经873和973 K退火处理时,这种弛豫现象仍然得以保持,表明其阻尼性能在973 K以下保持稳定;而当试样在1033 K以上退火处理时,弛豫现象消失。