平板显示技术的发展概况及展望

介绍了几种主要的平板显示技术的发展概况，比较了它们在性能上的优缺点，并对今后的发展前景做了预测。     

ICP深硅刻蚀工艺研究

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一.利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数.     

智能建筑电气监控网络节点的功能重配置设计

针对传统智能建筑电气监控网络节点控制功能单一、节点功能重配置操作复杂等问题,设计出一种智能建筑电气监控网络节点的功能重配置方法,该方法首先根据节点外设的触发类型数量(电力开关、温湿度、继电器状态等)将节点的EEPROM划分为多个区域,随后将节点外设(继电器和可控硅)的控制命令打包为格式统一的指令报文并根据用户的需求依次存入多个节点中EEPROM的相应区域,节点工作时通过感知到的外设触发类型调取其EEPROM中相应区域的指令报文并根据指令报文内容执行预期功能或将该指令报文发送至下一个节点,最后节点发送反馈报文至上位机通报自身的实时状态。通过功能性测试实验和可靠性测试实验验证了使用本方法的智能建筑电气监控网络可配置功能丰富、操作简便、信息传输可靠。     

基于BCB键合的MEMS加速度计圆片级封装工艺

对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究,该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势,是MEMS加速度计产业化的关键。选用3000系列BCB材料进行MENS传感器的粘结键合工艺试验,解决了圆片级封装问题,在低温250℃和适当压力辅助下≤2．5bar（1bar=100kPa）实现了加速度计的圆片级封装,并对相关的旋涂、键合、气氛、压力等诸多工艺参数进行了优化。     

基于SOI硅片高g值加速度计的设计与分析

基于SOI硅片,设计了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用三梁一扇形质量决平板内振动结构,与传统的平面外振动结构相比较,该结构具有较高的谐振频率与灵敏度。采用两两相对的单元布局方式,可有效的消除横向灵敏度的影响,提高结构的测量精度。建立理论模型并利用ANSYS软件对结构进行模拟分析与验证。分析表明,加速度计在X轴向、Y轴向灵敏度分别为1.2μv／g、1.18μv／g;谐振频率分别为479KHz、475KHz。可实现对量程高达25万g加速度的测量。     

一种压阻式高g值加速度计的校准方法

详细介绍了一种检测自制高g值加速度传感器的技术。利用Hopkinson杆装置进行检测,对检测数据包括电压U与g值进行线性拟合,根据拟合直线来标定自由落体冲击装置的恢复系数k,达到校准整个自由落体冲击装置的目的。     

基于聚合物介质的低温硅硅键合研究

聚合物低温键合技术是MEMS器件圆片级封装的一项关键技术。以苯并环丁烯(BCB)、聚对二甲苯(Parylene)、聚酰亚胺(Polyimide)、有机玻璃(PMMA)作为键合介质,对键合的温度、压力、气氛、强度等工艺参数进行了研究,并分析了其优缺点。通过改变Parylene的旋涂、键合温度、键合压力、键合时间等工艺参数进行了优化实验。结果表明,在230 ℃的低温键合条件下封装后的MEMS器件具有良好的键合强度(＞3.600 MPa),可满足MEMS器件圆片级封装要求。     

CMOS贯军标产品气密性封装的实践

气密性封装在CMOS单片集成电路军标线认证工作中是一项重要的内容,文中介绍了采用旧的高温扩散炉,实现Au-Sn合金焊料的IC密封烧结,其产品的密封质量满足GJB548A－96方法中1014A的要求,并通过了CMOS军标线B1级产品的认证。     

基于ICP的硅高深宽比沟槽刻蚀技术

介绍了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术的基本概念。结合英国STS公司的STS multiplex ICP system刻蚀机,介绍了刻蚀机原理及刻蚀过程。对硅深槽刻蚀技术进行了分析,对其中Footing效应、Lag效应和侧壁光滑问题提出了优化方案,最后在实验的基础上得出了能够刻蚀出高质量硅深沟槽的刻蚀参数。     

一种新型岛膜压力传感器的研究与设计北大核心

设计了一种量程为180 kPa的新型岛膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过ANSYS仿真软件,得出了在岛宽为500μm、岛厚为40μm、梁宽为200μm、敏感薄膜厚为15μm的情况下,该结构具有较好的线性度及灵敏度。提出了一种基于两层SOI硅-硅直接键合的工艺加工方法,能够精确控制敏感薄膜及岛的厚度,并且全硅结构器件能够避免键合残余应力,大大提高器件性能。采用了双惠斯登电桥电路减小传感器输出的温漂效应,并设计了该电路的压敏电阻连接图。最后对该压力传感器进行了测试,结果表明,其非线性为0.64%,精度为0.74%,满足现代工业应用要求。